[发明专利]一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法

说明书

技术领域

本发明涉及可制造性图形设计领域，具体涉及一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法。

背景技术

目前，接触孔热点的检查方法是对互连线和接触孔分别进行工艺偏差模拟，然后检查叠对面积百分比，用统一规格标准判定接触孔的接触情况，这种检查方法完全依赖模型模拟，没有考虑到模型本身的缺陷（特别是对于二维图形的模拟误差会偏大，因此，检查到的工艺热点不能很好的反应实际硅片上的问题严重程度，会对生产部门判定和解决最重要的工艺热点造成干扰。

在工艺偏差模拟的过程中，有些热点的模拟结果和硅片结果匹配较好，而有些热点的模拟结果和硅片结果匹配不佳，硅片的实际图形相比模拟结果更加糟糕，即叠对面积百分比小于模拟值；可能是因为这些热点位于细线的头上而且周围图形密集，二维效应明显（高频信息丢失造成的圆角corner rounding和缩头line-end shortening),OPC模型的误差会较简单图形偏大。

中国专利（公开号：CN102832152A）公开了一种在线检测接触孔的方法，所述方法包括：进行自对准接触孔刻蚀；确定晶圆检测区域，所述检测区域为可能出现接触孔形状异常缺陷的区域；关键尺寸扫描电子显微镜（CD-SEM）对所述检测区域中的接触孔俯视图像的内圈直径进行测量；如果测量得到的内圈直径不在预设范围内则CD-SEM提示存在接触孔形状异常缺陷。本发明可以在不报废晶圆的前提下，检测出接触孔的形状异常缺陷。

中国专利（公开号：CN102981356A）公开了一种以接触孔模型为基础的光学邻近校正法，此方法是利用相同间距、不同线宽的一系列测试图案所收集的数据，来建立接触孔模型，以校正邻近效应所造成的线宽偏差现象。

上述两件专利均未解决现有技术中接触孔接触不良的检查方法完全依赖模型模拟，但并没有考虑到模型本身的缺陷（特别是对于二维图形的模拟误差会偏大），因此，检查到的工艺热点不能很好的反应实际硅片上的问题严重程度，会对生产部门判定和解决最重要的工艺热点造成干扰。

发明内容

本发明公开了一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，根据接触孔与相应互连线的包围值对原始接触孔进行分类，并对分类后的接触孔覆盖一一对应的矩形作为分类标记，然后对不同类型的接触孔进行不同规格的最小叠对面积检查(Minimum Area Overlap Check)，最终在光刻版图的设计中实现更加精确的光刻工艺友善性检查（Lithography Friendly Design Check），同时能更精确地找到光刻版图设计中的接触孔接触不良的工艺热点。

本发明记载了一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法，其中，所述方法包括：

提供一设置有接触孔图形和互连线图形的光刻版图，且每个所述接触孔图形均对应一个所述互连线图形；

根据所述接触孔图形被所述互连线图形所覆盖的包围值将所述接触孔图形划分为两个种类并对其进行分类标记；

对所述光刻版图进行光学临近效应修正工艺后，继续工艺偏差图形模拟；

根据所述接触孔图形的种类对所述模拟后接触孔图形进行热点检查；

其中，所述包围值为每个所述接触孔图形与其对应的互连线图形之间的最小距离。

上述方法，其中，所述接触孔图形为矩形，所述互连线图形为多边形；

其中，所述互连线图形与对应的所述接触孔图形均有重合部分。

上述方法，其中，根据所述光刻版图的原始数据得到所述包围值，根据所述包围值所述接触孔被分为A类接触孔和B类接触孔。

上述方法，其中，所述B类接触孔中包围值≥50nm的外边数量≥2。

上述方法，其中，所述A类接触孔中包围值≥50nm的外边数量＜2。

上述方法，其中，所述光刻版图进行工艺偏差图形模拟得出每个接触孔图形及其互连线图形的叠对面积百分比。

其中，所述叠对面积百分比为所述接触孔图形与相对应互连线图形的重合面积与该接触孔面积之比。

上述方法，其中，针对所述A类接触孔，在实际硅片上的叠对面积百分比要小于通过工艺偏差模拟后得到的叠对面积百分比。

上述方法，其中，所述分类标记对A类接触孔和B类接触孔进行标记区分，所述分类标记与所述接触孔图形一一对应，并以所述接触孔图形为中心对该接触孔进行完全包围。

上述方法，其中，所述分类标记的外轮廓为矩形，并对A类接触孔和B类接触孔进行了区分；

其中，所述分类标记之间不会相互重叠。