[发明专利]一种场效应晶体管的制备方法无效
| 申请号： | 201410106643.4 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887341A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 高剑琴 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
1.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
步骤1.在一衬底上以刻蚀工艺形成U型源漏区；
步骤2.以氢氧化钾溶液对所述源漏区进行腐蚀；
步骤3.采用酸液体对所述源漏区表面的自然氧化层进行清洗；
步骤4.以外延生长工艺于所述源漏区内形成缓冲层。
2.如权利要求1所述场效应晶体管的制备方法，其特征在于，步骤1中所述刻蚀工艺为干法刻蚀、湿法刻蚀或干湿法刻蚀。
3.如权利要求1所述场效应晶体管的制备方法，其特征在于，步骤2中采用氢氧化钾溶液的浓度为1摩尔/升，腐蚀的时间为28秒～32秒，腐蚀的条件为常温。
4.如权利要求1所述场效应晶体管的制备方法，其特征在于，在步骤3与步骤4之间，以氢气或者氢气与氯化氢的混合气体对所述衬底进行烘烤。
5.如权利要求1所述场效应晶体管的制备方法，其特征在于，还包括步骤5，以外延生长工艺于所述缓冲层上形成应变材料层。
6.如权利要求5所述场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述应变材料层中掺杂有高浓度的掺杂物。
7.如权利要求5所述场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述应变材料层与所述缓冲层材料相同。
8.如权利要求1所述场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述缓冲层采用的材料为：掺杂有硼离子的SiGe。
9.如权利要求6所述场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述的缓冲层的掺杂浓度由底部至顶部从零逐渐增加到所述应变材料层的掺杂浓度相同，且所述的缓冲层的掺杂浓度变化为线性变化或阶梯型变化。
10.如权利要求1所述场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述酸液体为氢氟酸。
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