[发明专利]一种场效应晶体管的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，尤其涉及一种缓解源漏区外延生长侧壁与底部缓冲层厚度差异的场效应晶体管的制备方法。

背景技术

在40nm及以下制程主要采用了源漏区应变硅技术以及HKMG技术来提高沟道内载流子迁移率来增加金氧半场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）的期间性能。在应变硅技术中，源漏区均采用外延生长，通过晶格参数不同引入应力到沟道处从而提高载流子迁移率。

一般情况下，为获得较高载流子迁移率，会使用高浓度锗（Ge）或者碳（C）掺杂。但是，直接在纯硅上外延生长高浓度应变材料，往往会出现较多的缺陷如层错等，反而会降低提升效果。因此，需要在生长应变材料前在纯硅上生长缓冲层。

缓冲层的生长厚度与源漏区刻蚀后的表面晶向有关。对于U型源漏区（如图1所示），缓冲区3在侧壁晶向上的生长速度远比底部晶向慢，若采用先氢氟酸（HF）预清洗、然后直接进行外延沉积缓冲区3，很容易出现缓冲区3在底部生长较厚、侧壁却基本没有的现象，由于侧壁和底部因晶向不同导致缓冲层沉积厚度的差异，存在侧壁外延生长缺陷4以及源漏区高浓度掺杂物扩散到沟道处漏电的问题。若无此缓冲区3做阻挡，应变材料区2会在沟道处产生严重漏电，应变材料区2上覆盖有掩膜层1，如PMOS的SiGe中原位掺杂的高浓度硼（B）会扩散到沟道内。

中国专利（CN102479812A）公开了半导体器件及其制造方法，该半导体器件，包括衬底、位于所述衬底中的沟道区、源漏区、位于所述沟道区上的栅极和栅极侧墙以及位于所述源漏区上的镍基硅化物，所述镍基硅化物为外延生长的薄膜层。

该专利通过合理设置镍基硅化物材质以及处理温度，使得镍基硅化物可以承受为了消除DRAM电容缺陷而进行的高温退火，从而可以降低DRAM的MOSFET源漏寄生电阻和接触电阻，同时也可与现有CMOS制造技术兼容。但并没有解决由于侧壁和底部因晶向不同导致缓冲层沉积厚度的差异，存在侧壁外延生长缺陷以及源漏区高浓度掺杂物扩散到沟道处漏电的问题。

中国专利（CN101510509B）公开了硅（100）衬底各向异性腐蚀中直角结构补偿图形生成方法，提供了一种补偿图像的拓扑结构，由此拓扑结构可以生产出多种多样的直角形式凸角补偿图形，对于硅（100）衬底上制作的含有直角式凸角，且该直角由两条<110>晶向为直边构成的目标器件结构，其直角补偿图形生成的过程由两个步骤实现：首先建立直角补偿图形的拓扑结构，然后根据直角补偿图形生成方法产生具体的直角补偿图形。硅的各向异性腐蚀技术时指在硅的腐蚀过程中，硅的不同晶面具有不同的腐蚀速率，采用硅各向异性腐蚀技术能够制造许多中微机点系统（MEMS）结构。

该专利具有理论原理清晰，具体补偿生成方便、灵活的优点；同时还具有明确的技术路径，适合应用到计算机辅助设计系统中。但并没有解决由于侧壁和底部因晶向不同导致缓冲层沉积厚度的差异，存在侧壁外延生长缺陷以及源漏区高浓度掺杂物扩散到沟道处漏电的问题。

发明内容

本发明为解决由于侧壁和底部因晶向不同导致缓冲层沉积厚度的差异，存在侧壁外延生长缺陷以及源漏区高浓度掺杂物扩散到沟道处的漏电的问题。从而提供一种场效应晶体管的制备方法的技术方案。

本发明所述一种场效应晶体管的制备方法，包括下述步骤：

步骤1.在一衬底上以刻蚀工艺形成U型源漏区；

步骤2.以氢氧化钾溶液对所述源漏区进行腐蚀；

步骤3.采用酸液体对所述源漏区表面的自然氧化层进行清洗；

步骤4.以外延生长工艺于所述源漏区内形成缓冲层。

优选的，步骤1中所述刻蚀工艺为干法刻蚀、湿法刻蚀或干湿法刻蚀。

优选的，步骤2中采用氢氧化钾溶液的浓度为1摩尔/升，腐蚀的时间为28秒～32秒，腐蚀的条件为常温。

优选的，在步骤3与步骤4之间，以氢气或者氢气与氯化氢的混合气体对所述衬底进行烘烤。

优选的，还包括步骤5，以外延生长工艺于所述缓冲层上形成应变材料层。

优选的，所述应变材料层中掺杂有高浓度的掺杂物。

优选的，所述应变材料层与所述缓冲层材料相同。

优选的，所述缓冲层采用的材料为：掺杂有硼离子的SiGe。

优选的，所述的缓冲层的掺杂浓度由底部至顶部从零逐渐增加到所述应变材料层的掺杂浓度相同，且所述的缓冲层的掺杂浓度变化为线性变化或阶梯型变化。

优选的，所述酸液体为氢氟酸。