[发明专利]一种半导体器件的击穿电压TCAD仿真方法在审
| 申请号： | 201410109732.4 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103870651A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 击穿 电压 tcad 仿真 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的击穿电压TCAD仿真方法，其特征在于，包括：
根据器件性能要求在TCAD平台中选取最佳的器件参数来创建器件仿真模型；
在所述器件仿真模型的电压扫描端定义一接触电阻，并在该电压扫描端施加扫描电压，开始击穿电压TCAD仿真，得到收敛的I-V仿真曲线。
进一步的，根据器件性能要求在TCAD平台中选取最佳的器件参数来创建器件仿真模型，包括：
根据器件性能要求确定器件的结构及结构参数；
根据所述器件的结构及结构参数确定工艺条件和工艺步骤，生成所述器件仿真模型。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述TCAD平台为Sentaurus。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为栅极接地MOS管。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述扫描电压为0V～500V
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述器件仿真模型的电压扫描端定义一接触电阻的步骤包括：
通过最大扫描电压并定义一合理的击穿电压值和击穿电流获得半导体器件的内部电阻和参考电阻；
选取大于所述内部电阻至少一个数量级，且小于所述参考电阻值的电阻值作为接触电阻的阻值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410109732.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
