[发明专利]一种铬板制造工艺中残余点的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及铬板制造工艺，尤指铬板制造工艺中残余点的处理方法。

背景技术

在铬板制造过程中，常出现浮胶、钻蚀、毛刺、针孔、残余点（铬残留）等缺陷。尤其是残余点，它的形状不规则，很像岛屿，尺寸一般比针孔大，俗称“小岛”，至今仍然是业界在批量生产中的一道难题。然而，光学零器件对产品外观要求非常高，为了改善生产过程中造成的不良，通常的做法是：

一、提高光刻加工过程中所有环节的洁净度；

二、利用显微镜全检，对不良处进行人为修复。

上述第一种作法，需要采用FFU(风机过滤系统)和严格的洁净控制体系，这种作法所产生的成本高；然而，第二种作法，工作量大且人工长时间使用显微镜，容易造成视觉疲劳和疏漏，批量生产成本高。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的主要目的在于提供一种铬板制造工艺中残余点的处理方法，具体在于通过二次光刻方式去除阳区中的微细残余点，该方式是通过镀膜、光刻等工序，在符合所需的材质玻璃基板上制作图形，使用第二块与第一次掩膜图形大致相当的掩膜版进行二次光刻，去除一次光刻留下的残余点。

为达成上述目的，本发明应用的技术方案是：一种铬板制造工艺中残余点的处理方法，包括的步骤是：基片清洗，将玻璃基片表面清洗干净；溅射镀膜，在玻璃基片表面镀上一层不透光的铬膜层及氧化铬抗反射涂层；一次光刻，在玻璃基片表面均匀地涂覆一层正型感光材料，通过掩膜曝光将图形复制到铬膜层上面，以及二次光刻，在复制有图形的铬膜层上再次涂覆正型感光材料，通过对准掩膜版上预先设计的标记对准进行二次曝光，将第二张掩膜图形复制到铬膜层上，然后对其整板进行蚀刻，藉此二次光刻去除第一次光刻留下的残余点。

在本实施例中优选，所述的基片清洗为采用超声波清洗。

在本实施例中优选，所述的溅射镀膜采用的是磁控溅射方式。

在本实施例中优选，所述的铬膜层为工作层，其镀在玻璃基片表面的厚度约为100nm。

在本实施例中优选，所述的氧化铬抗反射涂层约为20nm。

在本实施例中优选，所述的正型感光材料的涂覆厚度约为1um。

在本实施例中优选，所述的第二掩膜与第一掩膜图形相当。

在本实施例中优选，所述的曝光为采用紫外线曝光方式。

本发明与现有技术相比，其有益的效果是：可在较低的环境洁净度下彻底清除阳区中的小岛缺陷，且处理完后，勿需逐个检查亦可保证品质。

附图说明

图1是铬板及其镀膜层结构示意图。

图2是铬板制成中呈现残余点的放大结构示意图。

图3是铬板制成中呈现难以去除区域残余点的平面结构示意图。

图4是本实施例之工艺流程方框结构示意图。

图5是本实施例之一次光刻掩膜图形的平面结构示意图。

图6是本实施例之二次光刻掩膜图形的平面结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

请参阅图1并结合参阅图2至图6所示，铬板通常由玻璃衬底1，再镀上一层铬膜层2，然后加一层减反射的氧化铬膜层3组成。然而，在通过光刻加工光学零器件时，利用图4中掩膜设计图，对镀好膜的基板进行一次光刻成型，即制成带有产品图形的基板，然后将此块带有铬膜图形的基板进行清洗、检验。在光刻过程中通常因为感光材料、掩膜版或曝光环境等诸多环节，受到灰尘或者异物的影响而导致一次光刻完成后，如呈现在图2中的铬框内侧形成数量不等、形状不同、大小各异的残余点10。

请参阅图4并结合参阅图5和图6所示，为了解决这一技术问题，经过研究和实验，本发明人提供了一种铬板制造工艺中残余点的处理方法，是将一次光刻完成后的基板表面再次均匀的涂覆一层约1um厚度的正型感光材料，然后按照预先设计掩膜图形选择需要被保护的区域（如图5），其所需要达到的目的是将图6中的“十”标记对准图5中的“十”标记，使之达到重合后，一次掩膜中保留下来的图形区域能再次得到感光材料的保护，而产品图形中间的空白区域不需要得到保护。如此再对其进行蚀刻加工，空白区域的小岛即可被去除。值得说明的是：由于对准曝光存在一定的误差，我们假设这个误差为n，为了完全能保护一次掩膜中的图形区域，二次掩膜的图形设计时，需比一次掩膜的图形至少大n，参照图6的线宽尺寸标注，这样的话距离铬框内侧n值范围以内如果存在小岛是不能被去除的，如图4中外框与内框之间的区域, 而n的大小取决于光刻机的对准精度，故光刻机对准精度越高越好。