[发明专利]封装堆栈结构及其制法有效
申请号: | 201410110895.4 | 申请日: | 2014-03-24 |
公开(公告)号: | CN104934379B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 黄淑惠;江政嘉;王隆源;施嘉凯;廖俊明 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L23/00;H01L23/28;H01L23/31 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人: | 程伟,王锦阳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 堆栈 结构 及其 制法 | ||
1.一种封装堆栈结构,包括:
封装基板,其具有多个第一电性接触垫;
至少一半导体组件,其设于该封装基板上;以及
电子装置,其具有多个第二电性接触垫,且各该第二电性接触垫上设有导电组件,所述导电组件并对应结合至所述第一电性接触垫,使该电子装置堆栈于该封装基板上,其中,该导电组件由绝缘块与包覆该绝缘块的导电材所构成,该导电材为焊锡材且直接接触该绝缘块。
2.根据权利要求1所述的封装堆栈结构,其特征在于,该电子装置通过所述导电组件电性连接该封装基板。
3.根据权利要求1所述的封装堆栈结构,其特征在于,该绝缘块为塑料球。
4.根据权利要求1所述的封装堆栈结构,其特征在于,该电子装置为另一封装基板或半导体组件。
5.根据权利要求1所述的封装堆栈结构,其特征在于,该半导体组件位于该电子装置与该封装基板之间。
6.根据权利要求1所述的封装堆栈结构,其特征在于,该结构还包括形成于该封装基板与该半导体组件之间的底胶。
7.根据权利要求1所述的封装堆栈结构,其特征在于,该结构还包括形成于该电子装置与该封装基板之间的封装材,用于包覆所述导电组件。
8.一种封装堆栈结构的制法,包括:
提供一具有多个第一电性接触垫的封装基板与一具有多个第二电性接触垫的电子装置,并设置至少一半导体组件与该封装基板上,其中,该第二电性接触垫上设有导电组件,且该导电组件由绝缘块与包覆该绝缘块的导电材所构成,该导电材为焊锡材且直接接触该绝缘块;以及
对应结合所述导电组件至所述第一电性接触垫,使该电子装置堆栈于该封装基板上。
9.根据权利要求8所述的封装堆栈结构的制法,其特征在于,该电子装置通过所述导电组件电性连接该封装基板。
10.根据权利要求8所述的封装堆栈结构的制法,其特征在于,该绝缘块为塑料球。
11.根据权利要求8所述的封装堆栈结构的制法,其特征在于,该电子装置为另一封装基板或半导体组件。
12.根据权利要求8所述的封装堆栈结构的制法,其特征在于,该半导体组件位于该电子装置与该封装基板之间。
13.根据权利要求8所述的封装堆栈结构的制法,其特征在于,该制法还包括形成底胶于该封装基板与该半导体组件之间。
14.根据权利要求8所述的封装堆栈结构的制法,其特征在于,该制法还包括于对应结合所述导电组件与所述第一电性接触垫之后,形成封装材于该电子装置与该封装基板之间,以包覆所述导电组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造