[发明专利]封装堆栈结构及其制法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装结构，尤指一种封装堆栈结构及其制法。

背景技术

随着近年来可携式电子产品的蓬勃发展，各类相关产品逐渐朝向高密度、高性能以及轻、薄、短、小的趋势而走，各式样封装层叠(package on package，PoP)也因而配合推陈出新，以期能符合轻薄短小与高密度的要求。

如图1所示，其为现有封装堆栈装置1的剖视示意图。如图1所示，该封装堆栈装置1包括两相叠的封装结构1a与另一封装结构1b。

封装结构1a包含具有相对的第一及第二表面11a,11b的第一基板11、覆晶结合该第一基板11的第一电子组件10、设于该第一表面11a上的电性接触垫111、形成于该第一基板11上以包覆该第一电子组件10的第一封装胶体13、形成于该第一封装胶体13的开孔130中的电性接触垫111上的焊锡材114、以及设于该第二表面11b上用于结合焊球14的植球垫112。

另一封装结构1b包含第二基板12、以打线方式结合于该第二基板12上的第二电子组件15a,15b、及形成于该第二基板12上以包覆该第二电子组件15a,15b的第二封装胶体16，令该第二基板12藉由焊锡材114叠设且电性连接于该第一基板11的电性接触垫111上。

然而，现有封装堆栈装置1中，由于该第一与第二基板11,12间以焊锡材114作为支撑与电性连接的组件，而随着电子产品的接点（即I/O）数量愈来愈多，在封装件的尺寸大小不变的情况下，各该焊锡材114间的间距需缩小，致使容易发生桥接（bridge）的现象，因而造成产品良率过低及可靠度不佳等问题，致使无法用于更精密的细间距产品。

此外，因该焊锡材114于回焊后的体积及高度的公差大，即尺寸变异不易控制，致使不仅接点容易产生缺陷（例如，于回焊时，该焊锡材114会先变成软塌状态，同时于承受上方第二基板12的重量后，该焊锡材114容易塌扁变形，继而与邻近该焊锡材114桥接），导致电性连接品质不良，且该焊锡材114所排列成的栅状数组(grid array)容易产生共面性(coplanarity)不良，导致接点应力(stress)不平衡而容易造成该两封装结构之间呈倾斜接置，甚至产生接点偏移的问题。

又，该两封装结构之间仅藉由该焊锡材114作支撑，将因该两封装结构之间的空隙d过多，导致该第一与第二基板11,12容易发生翘曲(warpage)。

另外，该焊锡材114构成的金属导电球因吸震能力较弱，所以当该焊锡材114受到震动时，其容易产生偏移而发生短路（short）问题。

因此，如何克服现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明的主要目的为提供一种封装堆栈结构及其制法，能避免发生短路问题。

本发明的封装堆栈结构，包括：封装基板，其具有多个第一电性接触垫；至少一半导体组件，其设于该封装基板上；以及电子装置，其具有多个第二电性接触垫，且各该第二电性接触垫上设有导电组件，该些导电组件并对应结合至该些第一电性接触垫，使该电子装置堆栈于该封装基板上，其中，该导电组件由绝缘块与包覆该绝缘块的导电材所构成。

本发明还提供一种封装堆栈结构的制法，包括：提供一具有多个第一电性接触垫的封装基板与一具有多个第二电性接触垫的电子装置，并设置至少一半导体组件与该封装基板上，其中，该第二电性接触垫上设有导电组件，且该导电组件由绝缘块与包覆该绝缘块的导电材所构成；以及对应结合该些导电组件至该些第一电性接触垫，使该电子装置堆栈于该封装基板上。

前述的封装堆栈结构及其制法中，该电子装置藉由该些导电组件电性连接该封装基板。

前述的封装堆栈结构及其制法中，该绝缘块为塑料球，且该导电材为焊锡材。

前述的封装堆栈结构及其制法中，该电子装置为另一封装基板或半导体组件。

前述的封装堆栈结构及其制法中，该半导体组件位于该电子装置与该封装基板之间。又包括形成底胶于该封装基板与该半导体组件之间。

另外，前述的封装堆栈结构及其制法中，还包括于对应结合该些导电组件与该些第一电性接触垫之后，形成封装材于该电子装置与该封装基板之间，以包覆该些导电组件。

由上可知，本发明的封装堆栈结构及其制法，其藉由该绝缘块的设计，以利于堆栈作业，且因该导电组件的尺寸变异容易控制，使其可克服堆栈结构间倾斜接置及接点偏移的问题。