[发明专利]直列式热处理装置在审
申请号: | 201410114532.8 | 申请日: | 2014-03-25 |
公开(公告)号: | CN104078384A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | 李炳一;吴弘绿;赵炳镐 | 申请(专利权)人: | 泰拉半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 直列式 热处理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及直列式热处理装置。更具体地,通过设置贯通多个加热炉的多个加热器,能够均匀地保持加热炉整个区域的温度,并且在整个基板上进行均匀的热处理。
背景技术
使用于平板显示装置制造中的热处理(Annealing)装置,为了提高沉积在基板上的膜的特性,对沉积的膜进行结晶化或相变化处理。
使用于平板显示装置中的作为半导体层的薄膜晶体管,利用沉积装置,在玻璃或石英等基板上沉积非晶(Amorphous)硅,对非晶硅层进行脱氢热处理后,注入形成沟道所需的砷(Arsenic)、磷(Phosphorus)或硼(Boron)等掺杂物。然后进行结晶化工艺,以将具有低电子迁移率的非晶硅层通过结晶化处理为具有高电子迁移率的结晶结构的多晶硅层。
为了使非晶硅层结晶化处理为多晶硅层,需要向非晶硅层施加热能,通常利用以下方法:向加热炉(Furnace)内部投入基板,通过设置在加热炉内部的加热器等加热单元,向非晶硅层提供热量。
现有的热处理装置进行利用一个加热炉来加热以及冷却基板的热处理工艺,但是利用一个加热炉的现有的热处理装置,由于将基板制造成成品需要很长时间,导致降低生产率。为了解决这个问题,正在开发和使用直列式热处理装置,其连续配置多个加热炉,并将基板分别向所述加热炉依次搬运,以对基板进行热处理。
由于现有的直列式热处理装置,将加热器配置在加热炉的外侧,或者使用板状加热器等,因此很难控制加热器整个区域的温度。此外,随着近年来使用于平板显示装置中的基板趋于大型化,需要开发可以均匀地保持加热炉内部的温度,并且在整个基板上进行均匀的热处理的直列式热处理装置。
此外,由于现有的热处理装置在可旋转的多个辊上直接搭载基板进行搬运,因此,由相互接触的辊和基板之间的摩擦力而产生的颗粒(Particle)有可能导致基板被污染,从而降低成品的可靠性。
发明的内容
本发明为了解决如上所述的现有技术的各种问题而提出,目的在于提供一种直列式热处理装置,能够均匀地保持加热炉整个区域的温度。
此外,本发明的目的在于提供一种直列式热处理装置,可以在整个基板上进行均匀的热处理。
此外,本发明的目的在于提供一种直列式热处理装置,通过在移动(Moving)部件上搭载并支撑基板进行搬运,从而能够降低摩擦力导致的基板的损伤,提高成品的可靠性。
为了解决上述目的,本发明一实施方式的直列式热处理装置的特征在于,具备:多个加热炉(Furnace),连续地配置,并且分别提供对基板进行热处理的空间;搬运单元,设置在各个所述加热炉的内部,用于搬运所述基板;以及多个加热器,设置在各个所述加热炉中,并且,在与所述基板的搬运方向垂直的方向上隔着规定的间隔贯通各个所述加热炉,以对所述基板进行升温。
根据如上所述结构的本发明,能够均匀地保持加热炉整个区域的温度。
此外,可以在整个基板上进行均匀的热处理。
此外,通过在移动(Moving)部件上搭载并支撑基板进行搬运,从而能够降低摩擦力导致的基板的损伤,提高成品的可靠性。
附图说明
图1是表示本发明一实施方式的直列式热处理装置的概略结构的主剖视图。
图2是表示本发明一实施方式的升温部的加热炉的放大主剖视图。
图3是表示本发明一实施方式的升温部的加热炉的放大侧剖视图。
图4是表示本发明一实施方式的直列式热处理装置的概略结构的俯剖视图。
图5是表示本发明一实施方式的基板搬运部支撑移动部件的立体图。
图6是图5中示出的基板搬运部的放大立体图。
图7至图13是表示本发明一实施方式的直列式热处理装置的动作的主剖视图。
图14是本发明一实施方式的支撑部件的立体图。
附图标记
50:基板
61、65:支撑部件
110:加载部
120:升温部
130:工艺部
140:冷却部
150:卸载部
110a、120a、120b、130a、140a、150a:加热炉
200:加热器
210:上侧加热器
220:下侧加热器
230:侧方加热器
330:移动部件
350:驱动单元
370:基板搬运部
390:升降杆
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造