[发明专利]一种硅片电学测试的早期侦测系统及方法

权利要求书

1.一种硅片电学测试的早期侦测系统，其特征在于，包括：

数据采集模块，用于采集硅片电学测试数据，并基于所述测试数据确定出正常硅片及异常硅片；

制造路径获取模块，用于获取各该正常硅片及各该异常硅片在工艺机台矩阵中的制造路径；

计算模块，用于依据所述制造路径计算出工艺机台矩阵中各个工艺机台的正常硅片通过率及异常硅片通过率；

制造路径生成模块，用于依据所述正常硅片通过率及异常硅片通过率生成硅片合适的制造路径。

2.根据权利要求1所述的硅片电学测试的早期侦测系统，其特征在于：所述硅片电学测试数据采用一些特殊的参数测试结构替代产品进行电流、电压和电容的测试，以确定硅片电学性能，所述特殊的参数测试结构包括晶体管、各种线宽、电阻率结构、电容结构、接触孔、通孔链、蜿蜒结构、框套框结构，可以用来测试电阻、电压、电容、电流以及开路或短路测试。

3.根据权利要求1所述的硅片电学测试的早期侦测系统，其特征在于：所述数据采集模块通过基于所述测试数据的比较方法以确定出正常硅片及异常硅片，所述比较方法包括MR1匹配准则，其中，所述MR1匹配准则为某一测试数据的平均值与目标值的差值除以标准差，用于显示实际测试结果偏离目标值的程度。

4.根据权利要求1所述的硅片电学测试的早期侦测系统，其特征在于：所述制造路径生成模块将各道工艺中正常硅片通过率高且异常硅片通过率低的工艺机台组合生成优先采用的制造路径，以及将各道工艺中异常硅片通过率高且正常硅片通过率低的工艺机台组合生成优先禁用的制造路径。

5.根据权利要求4所述的硅片电学测试的早期侦测系统，其特征在于：还包括反馈模块，用于将所述优先采用的制造路径及优先禁用的制造路径反馈给制造系统，以优先采用正常硅片通过率高且异常硅片通过率低的工艺机台组合，并优先禁用异常硅片通过率高且正常硅片通过率低的工艺机台组合。

6.一种硅片电学测试的早期侦测方法，其特征在于，包括步骤：

1)采集硅片电学测试数据，并基于所述测试数据确定出正常硅片及异常硅片；

2)获取各该正常硅片及各该异常硅片在工艺机台矩阵中的制造路径；

3)依据所述制造路径计算出工艺机台矩阵中各个工艺机台的正常硅片通过率及异常硅片通过率；

4)依据所述正常硅片通过率及异常硅片通过率生成硅片合适的制造路径。

7.根据权利要求6所述的硅片电学测试的早期侦测方法，其特征在于：所述硅片电学测试数据采用一些特殊的参数测试结构替代产品进行电流、电压和电容的测试，以确定硅片电学性能，所述特殊的参数测试结构包括晶体管、各种线宽、电阻率结构、电容结构、接触孔、通孔链、蜿蜒结构、框套框结构，可以用来测试电阻、电压、电容、电流以及开路或短路测试。

8.根据权利要求6所述的硅片电学测试的早期侦测方法，其特征在于：步骤1)通过基于所述测试数据的比较方法以确定出正常硅片及异常硅片，所述比较方法包括MR1匹配准则，其中，所述MR1匹配准则为某一测试数据的平均值与目标值的差值除以标准差，用于显示实际测试结果偏离目标值的程度。

9.根据权利要求6所述的硅片电学测试的早期侦测方法，其特征在于：步骤4)将各道工艺中正常硅片通过率高且异常硅片通过率低的工艺机台组合生成优先采用的制造路径，以及将各道工艺中异常硅片通过率高且正常硅片通过率低的工艺机台组合生成优先禁用的制造路径。

10.根据权利要求9所述的硅片电学测试的早期侦测方法，其特征在于：还包括步骤5)将所述优先采用的制造路径及优先禁用的制造路径反馈给制造系统，以优先采用正常硅片通过率高且异常硅片通过率低的工艺机台组合，并优先禁用异常硅片通过率高且正常硅片通过率低的工艺机台组合。