[发明专利]用于单端eDRAM感测放大器的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种方法，包括：

将第一位线预充电到第一电压电平，多个动态随机存取存储器（DRAM）单元通过所述第一位线可操作地连接到多路复用器器件的输入侧；

将第二位线预充电到第二电压电平，感测器件通过所述第二位线可操作地连接到所述多路复用器器件的输出侧，所述感测器件具有转换电压并包括：以反相器结构布置的一对晶体管；和可操作地连接到所述一对晶体管的读取使能晶体管，所述读取使能晶体管连接到第三电压电平；

选择所述第二电压电平，使得第一类型的信号电压的接收在第一方向上调节所述第二位线的电压，而第二类型的所述信号电压的接收在与所述第一方向相反的第二方向上调节所述第二位线的所述电压，所述第二电压使所述信号电压以所述转换电压为中心，所述第一电压电平、所述第二电压电平和所述第三电压电平是不同的电压；以及

使用所述多路复用器，将来自所述多个DRAM单元中的选定一个的所述信号电压通过所述第一位线传递到所述第二位线。

2.根据权利要求1的方法，所述感测器件包括：

N沟道场效应晶体管（NFET），栅极到栅极且漏极到漏极地连接到P沟道场效应晶体管（PFET），所述NFET的源极端连接到地，而所述PFET的源极端连接到所述读取使能晶体管。

3.根据权利要求1的方法，所述多路复用器包括：

互补金属氧化物半导体（CMOS）多路复用器。

4.根据权利要求1的方法，还包括使用NFET晶体管将所述第一位线连接到地。

5.根据权利要求1的方法，还包括使用PFET晶体管将所述第二位线连接到电源。

6.根据权利要求5的方法，还包括将所述PFET晶体管的栅极提升到负电压。

7.一种方法，包括：

使用预定电势的第一电源向全局位线供电，所述全局位线可操作地连接到感测器件，所述感测器件具有转换电压；

使用所述感测器件，感测来自可操作地连接到所述全局位线的动态随机存取存储器（DRAM）单元的信号电压；以及

通过控制所述第一电源的输出电压，使得第一类型的所述信号电压的接收在第一方向上调节所述全局位线的所述电势，而第二类型的所述信号电压的接收在与所述第一方向相反的第二方向上调节所述全局位线的所述电势，来控制所述全局位线的所述电势，使得所述信号电压以所述转换电压为中心。

8.根据权利要求7的方法，所述信号电压指示所述DRAM单元的状态。

9.根据权利要求8的方法，所述DRAM单元的所述状态是高信号和低信号之一，所述方法还包括使所述高信号和所述低信号的带以所述感测器件的所述转换电压为中心。

10.根据权利要求7的方法，所述向所述全局位线供电还包括将所述第一电源提升到负电压。

11.根据权利要求7的方法，还包括：使用预定电势的第二电源向所述感测器件供电，所述第二电源的输出电压不同于所述第一电源的所述输出电压。

12.根据权利要求11的方法，所述感测器件包括：

N沟道场效应晶体管（NFET），栅极到栅极且漏极到漏极地连接到P沟道场效应晶体管（PFET），所述NFET的源极端连接到地，而所述PFET的源极端连接到所述第二电源。

13.根据权利要求7的方法，还包括：

使用局部位线将所述DRAM单元连接到所述全局位线，所述局部位线可操作地连接到所述DRAM单元和多路复用器器件，所述多路复用器器件可操作地连接到所述全局位线，而所述局部位线被预充电到地电平。