[发明专利]利用叠片结构提高聚变堆内壁耐等离子体辐照性能的方法有效
| 申请号： | 201410117811.X | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN103886919A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 王波;胡德志;马栋;吕广宏 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G21B1/13 | 分类号： | G21B1/13 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 结构 提高 聚变 内壁 等离子体 辐照 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高聚变堆内壁耐等离子体辐照性能的结构，其特征在于：
在等离子体和铜基体之间存在多片金属薄片，所述多片金属薄片按照垂直于壁表面的方向叠压在一起，再与铜基体复合在一起。
2.应用权利要求1所述结构提高聚变堆内壁耐等离子体辐照性能的方法，其特征在于步骤如下：
将面对等离子体的材料制成多片金属薄片，然后将多片金属薄片按照垂直于壁表面的方向叠压在一起，再与铜基体复合在一起。
3.根据权利要求1所述提高聚变堆内壁耐等离子体辐照性能的方法，其特征在于：
金属薄片与铜基体复合在一起的方法为熔铸或钎焊。
4.根据权利要求1所述一种提高聚变堆内壁耐等离子体辐照性能的结构，其特征在于：
每片金属薄片的厚度尺寸在1微米至1毫米的范围。
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