[发明专利]一种浅沟槽隔离结构的制备方法无效
| 申请号： | 201410118212.X | 申请日： | 2014-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN103855073A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 肖天金 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 制备 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括以下步骤：
提供半导体衬底，其表面依次形成有氧化层和氮化硅层；
刻蚀以在半导体衬底中形成沟槽；
对所述沟槽进行原位表面处理以使其平滑；
在所述沟槽的表面形成线性氧化层；以及
在所述沟槽中填充隔离介质层。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，对所述沟槽进行原位表面处理的步骤包括通过使用HCl、Cl2或HCl/Cl2混合气体，在同一腔室内原位刻蚀所述沟槽的表面。
3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，原位刻蚀所述沟槽的表面的厚度为。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在对所述沟槽进行原位表面处理的步骤之前，还包括对所述沟槽侧壁的氮化硅层进行湿法刻蚀，直至暴露出所述氮化硅层下方的氧化层的步骤。
5.根据权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述沟槽的侧壁所刻蚀掉的氮化硅层的宽度为。
6.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在所述沟槽的表面形成线性氧化层的步骤之前，还包括酸槽清洗所述沟槽表面的步骤。
7.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述线性氧化层的形成工艺为化学气相沉积或氧化工艺，厚度为。
8.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述隔离介质层的材料为二氧化硅。
9.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述氧化层和线性氧化层的材料为二氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
