[发明专利]一种斜孔刻蚀方法

权利要求书

1.一种斜孔刻蚀方法，其特征在于，包括下述步骤：

S1，采用可提高沉积速率与刻蚀速率之比的第一偏压功率，刻蚀硅片至第一预设深度，用以降低在斜孔侧壁的顶部形成的碗状形貌的厚度；

S2，采用第二偏压功率，继续刻蚀硅片至第二预设深度，且所述第二偏压功率大于所述第一偏压功率，用以提高刻蚀速率；

其中，所述第二预设深度大于预设的所述斜孔的目标深度；

S3，采用等离子体干法刻蚀工艺自所述硅片的上表面对所述硅片的厚度进行整体减薄，以使所述斜孔的深度达到所述斜孔的目标深度；

所述等离子体干法刻蚀工艺的工艺参数包括：腔室压力为70mT；激励功率为2500W；偏压功率为50W；工艺气体包括刻蚀气体和辅助气体，其中，所述刻蚀气体为SF6，流量为1000sccm；所述辅助气体为O2，流量为50sccm；以使对所述硅片的厚度的减薄的速率达到10μm/min。

2.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，对所述硅片减薄的厚度大于或等于斜孔刻蚀过程中形成的碗状形貌的厚度。

3.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，步骤S1中，所述第一偏压功率的取值范围为0～10W。

4.根据权利要求3所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，步骤S2中，所述第二偏压功率的取值范围为10～30W。

5.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在步骤S1中，刻蚀工艺的参数包括：腔室压力为60mT；激励功率为2000W，第一偏压功率为0W；工艺气体包括刻蚀气体、沉积气体和辅助气体，其中，刻蚀气体为SF₆，且SF₆的流量为70sccm；沉积气体为C₄F₈，且C₄F₈的流量为10sccm；辅助气体为O₂，且O₂的流量为60sccm；刻蚀时间为200s；

在步骤S2中，刻蚀工艺的参数包括：腔室压力为60mT；激励功率为2000W，第二偏压功率为15W；工艺气体包括刻蚀气体、沉积气体和辅助气体，其中，刻蚀气体为SF₆，且SF₆的流量为70sccm；沉积气体为C₄F₈，且C₄F₈的流量为10sccm；辅助气体为O₂，且O₂的流量为60sccm；刻蚀时间为400s。

6.根据权利要求1所述的斜孔刻蚀方法，其特征在于，在步骤S1及S2中，向工艺腔室内通入刻蚀工艺所需的工艺气体，所述工艺气体包括刻蚀气体、沉积气体和辅助气体；

且在刻蚀过程中，通过调节腔室压力，以及调节刻蚀气体、沉积气体和辅助气体之间的比例，控制所述斜孔侧壁的倾斜角度。