[发明专利]硅部件及硅部件的制造方法

权利要求书

1.一种硅部件，其在受热环境下使用，其特征在于，

具有覆盖含有伤痕或微裂纹的表面的涂布层，所述涂布层由通过使表面的硅反应而形成的硅反应物构成，该涂布层的厚度在15nm以上600nm以下，

所述硅部件为如下尺寸的大型板材：宽度W:500mm以上×长度L:500mm以上，

所述伤痕或微裂纹在形成所述涂布层的过程中消失，

所述涂布层向所述大型板材的内部侧生长，

所述大型板材的表面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以上0.8nm以下，

四点弯曲试验的最大荷载为195MPa以上212MPa以下。

2.根据权利要求1所述的硅部件，其特征在于，

所述涂布层为硅氧化膜。

3.根据权利要求2所述的硅部件，其特征在于，

所述硅氧化膜的膜厚在30nm以上520nm以下的范围内。

4.根据权利要求1所述的硅部件，其特征在于，

所述涂布层为氮化硅膜。

5.根据权利要求1所述的硅部件，其特征在于，

通过对所述硅部件的表面进行研磨、蚀刻而去除表层的应变层。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的硅部件，其特征在于，

所述硅部件由多晶硅构成。

7.根据权利要求1～5中任意一项所述的硅部件，其特征在于，

所述硅部件由准单晶硅构成。

8.一种硅部件的制造方法，所述硅部件在受热环境下使用，其特征在于，

具备通过使在表面含有伤痕或微裂纹的所述硅部件的所述表面的硅反应而在所述硅部件的表面形成由硅反应物构成的涂布层的涂布层形成工序，

所述硅部件为如下尺寸的大型板材：宽度W:500mm以上×长度L:500mm以上，

所述伤痕或微裂纹在形成所述涂布层的过程中消失，

所述涂布层向所述大型板材的内部侧生长，

所述大型板材的表面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以上0.8nm以下，

四点弯曲试验的最大荷载为195MPa以上212MPa以下。

9.根据权利要求8所述的硅部件的制造方法，其特征在于，

所述涂布层形成工序为氧化处理工序。

10.根据权利要求8所述的硅部件的制造方法，其特征在于，

所述涂布层形成工序为氮化处理工序。

11.根据权利要求8～10中任意一项所述的硅部件的制造方法，其特征在于，

具备去除通过所述涂布层形成工序形成的所述涂布层的涂布层去除工序。

12.根据权利要求11所述的硅部件的制造方法，其特征在于，

具备涂布层再次形成工序，在通过所述涂布层去除工序而露出的硅表面，再次形成涂布层。