[发明专利]硅部件及硅部件的制造方法

说明书

本发明提供一种即使在受热环境下使用时也能够抑制龟裂的产生的硅部件及硅部件的制造方法。本发明的硅部件（10），其在受热环境下使用，其特征在于，具有覆盖表面的涂布层（11），涂布层（11）由通过使表面的硅反应而形成的硅反应物构成，该涂布层（11）的厚度在15nm以上600nm以下。其中，涂布层优选为硅氧化膜或氮化硅膜。

技术领域

本发明涉及一种配置于半导体制造装置、热处理装置等的内部，并在受热环境下使用的硅部件及硅部件的制造方法。

背景技术

以往，制作液晶等的面板时，有时对面板进行成膜及热处理。在该成膜、热处理工序中，需要用于保持面板的保持板。以往，作为保持板使用廉价且耐热性优异的石英。但是，石英的导热率差，难以均等地加热整个面板。由此，存在导致面板的面内均匀性差，品质、成品率低下的忧虑。另外，为了将温度在规定范围内均匀化并使品质上升，需要加长成膜开始之前的时间、热处理的时间，并存在导致生产率降低的问题。

因此，最近作为用于保持面板的保持板使用例如专利文献1所示的硅板。硅板的导热性比石英板优异，因此具有整体温度的均匀性上升，在制作大型面板时等，中心部与外周部的特性变得大致均匀的优点。

另外，除了上述的硅板之外，还提供有许多配置于半导体制造装置内的硅制的环状材料、圆板、板材等、在热处理装置内使用的硅制的方木、棒材、散装材料等、加热至高温的环境下使用的硅部件。使用这些的理由之一可举出相比石英导热性良好。

专利文献1：日本特开2008-138986号公报

然而，在上述的硅部件中，其表面存在因磨削或研磨等引起的伤痕、微裂纹，存在由这些伤痕、微裂纹为起点，施加较小的荷载就导致破损的问题。并且，有时还会因加热时的热应力而产生龟裂。在边长500mm以上见方的硅板等，特别是边长1000mm以上见方的硅板等大型硅部件中，由于上述的热应力也会变大，因此容易产生龟裂。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种即使在受热环境下使用，也能够抑制龟裂的产生的硅部件及硅部件的制造方法。其中，受热环境下的温度是指300℃到1100℃的范围。

为了解决这种问题而实现上述目的，本发明所涉及的硅部件为一种在受热环境下使用的硅部件，其特征在于，具有覆盖含有微裂纹的表面的涂布层，涂布层由通过使表面的硅反应而形成的硅反应物构成，该涂布层的厚度在15nm以上600nm以下。

在这种结构的硅部件中，其表面具有由通过使所述硅部件的表面反应而形成的硅反应物构成的涂布层，该涂布层的厚度在15nm以上600nm以下，因此，存在于硅部件表面的伤痕、微裂纹在形成涂布层的过程中消失。因此，能够抑制由这些伤痕、微裂纹为起点的龟裂的产生。

其中，本发明的硅部件中，所述涂布层优选为硅氧化膜。

在这种情况下，通过氧化处理硅部件的表面而形成硅氧化膜，能够消除硅部件表面的伤痕、微裂纹，并能够抑制由这些伤痕、微裂纹为起点的龟裂的产生。

另外，作为氧化处理方法，能够适用干式氧化、湿式氧化、减压氧化、加压氧化、卤素氧化、臭氧氧化等各种方法。

另外，本发明的硅部件中，所述硅氧化膜的膜厚优选在30nm以上520nm以下的范围内。

在这种情况下，硅氧化膜的膜厚为30nm以上，因此在微裂纹较深的情况下也能够充分的消除硅部件表面的伤痕、微裂纹。并且，硅氧化膜的膜厚为520nm以下，因此能够缩短氧化处理的时间，并能够更高效地制造该硅部件。

另外，本发明的硅部件中，所述涂布层优选为氮化硅膜。

在这种情况下，通过氮化处理硅部件的表面而形成氮化硅膜，能够消除硅部件表面的伤痕、微裂纹，并能够抑制由这些伤痕、微裂纹为起点的龟裂的产生。