[发明专利]执行激光晶化的方法有效
申请号: | 201410119974.1 | 申请日: | 2014-03-27 |
公开(公告)号: | CN104283099B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 吴郎燫;柳济吉;亚历山大·沃罗诺夫;韩圭完 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01S3/10 | 分类号: | H01S3/10 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 执行 激光 方法 | ||
提供了一种执行激光晶化的方法。所述方法包括:产生激光束;使激光束折射,以使激光束的强度在激光束的焦平面处均匀化;将强度被均匀化的激光束施加到安装在工作台上的目标基底。
技术领域
本发明涉及一种激光晶化,更具体地说,涉及执行激光晶化的方法。
背景技术
由于非晶硅(a-Si)的电子(即,电荷载流子)的迁移率低且孔径比(apertureratio)小,因而非晶硅不利于在互补型金属氧化物半导体(CMOS)的加工中使用。因此,非晶硅(a-Si)可能不适于互补型金属氧化物半导体(CMOS)的加工。多晶硅(poly-Si)薄膜元件可以使其能够在诸如像素薄膜晶体管(TFT)-阵列的基底上构造在像素中写入图像信号所需的驱动电路。多晶硅薄膜元件可以提高在制造显示面板时的生产率和可靠性,并且由于多晶硅薄膜元件不需要多个端子和驱动IC之间的连接,因此多晶硅薄膜元件可以使显示面板的厚度减小。
可以使用诸如固相晶化(SPC)、金属诱导晶化(MIC)、金属诱导横向晶化(MILC)或者准分子激光退火(ELA)的晶化方法在低温条件下制造多晶硅薄膜晶体管。可以在用于制造有机发光二极管(OLED)或液晶显示器(LCD)的工序中使用通过利用高能激光束执行晶化的准分子激光退火(ELA)。
如上所述的,当通过使用激光晶化设备在扫描目标基底的同时对目标薄膜执行晶化时,由于线性激光束的不均匀的强度导致可能产生扫描色差(mura)(即,斑点),并且可以施加高频的机械振动来增加激光束的强度的均匀性。
然而,由于高频的机械振动会被传递到基底而产生其它色差,所以因传递的高频的机械振动而产生的色差在具有高分辨率的显示装置中会是一个问题。
发明内容
根据本发明的示例性实施例,提供了一种执行激光晶化的方法。所述方法包括:产生激光束;使激光束折射,以使激光束的强度在激光束的焦平面处均匀化。将强度被均匀化的激光束施加到安装在工作台上的目标基底。
可以通过使用折射光学系统来执行使激光束折射的步骤,折射光学系统可以包括在其一个表面处形成有包括多个凹槽的折射格子的折射格子透镜。
折射格子可以是锯齿状格子,所述多个凹槽包括锯齿状凹槽。
锯齿状凹槽的密度的范围可以为从50个/mm到350个/mm。
每个锯齿状凹槽的宽度的范围可以为从3μm到20μm。
折射格子可以是三角形格子,所述多个凹槽包括三角形凹槽。
三角形凹槽的密度的范围可以为从50个/mm到350个/mm。
每个三角形凹槽的宽度的范围可以为从3μm到20μm。
折射格子可以是四边形格子,所述多个凹槽包括四边形凹槽。
四边形凹槽的密度的范围可以为从50个/mm到350个/mm。
每个四边形凹槽的宽度的范围可以为从3μm到20μm。
每个四边形凹槽的深度的范围可以为从0.1μm到20μm。
所述方法可以包括使用高频发生器使折射光学系统振动。
由高频发生器产生的频率的范围可以为从60Hz到100Hz。
施加激光束的步骤可以包括移动工作台,以将焦平面定位到形成于目标基底处的目标薄膜上。
施加激光束的步骤可以包括移动折射光学系统,以将焦平面定位到形成于在目标基底处的目标薄膜上。
附图说明
在下文中,将参照附图更加全面地描述本发明:
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