[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201410122616.6 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN104078326B | 公开(公告)日: | 2017-10-10 |
发明(设计)人: | 小林健司;泉本贤治;岩﨑晃久;三浦丈苗;西东和英 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,郭晓东 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,用于处理基板,其特征在于,具有:
基板支撑部,支撑水平状态的基板;
喷嘴,从多个喷射口向所述基板的上表面的中央部喷射作为清洗液的纯水;
基板旋转机构,使所述基板支撑部与所述基板一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转,
所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心且半径小于等于所述基板的半径的40%的圆内,
所述基板的所述上表面的所述中央部是以所述中心轴为中心且半径小于等于所述基板的半径的40%的圆,
不从所述多个喷射口向所述基板的所述上表面的除了所述中央部之外的区域喷射所述清洗液,
所述基板处理装置除了所述喷嘴以外不具有向所述基板的所述上表面喷射所述清洗液的单元。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个喷射口包含:
中心喷射口,配置在中央;
多个周边喷射口,以等角度间隔地配置在以所述中心轴为中心的圆周上。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心的半径小于等于60mm的圆内。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
从所述多个喷射口中的每一个喷射口喷射的所述清洗液的流量小于等于每分钟1升。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
从所述多个喷射口中的至少一个喷射口喷射的所述清洗液的喷射方向与所述中心轴所成的角度大于等于30度。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有用于形成被密闭的内部空间的密闭空间形成部,在该内部空间中,利用所述清洗液对所述基板进行清洗处理。
7.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心的半径小于等于60mm的圆内。
8.如权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,
从所述多个喷射口中的每一个喷射口喷射的所述清洗液的流量小于等于每分钟1升。
9.如权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
从所述多个喷射口中的至少一个喷射口喷射的所述清洗液的喷射方向与所述中心轴所成的角度大于等于30度。
10.如权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有用于形成被密闭的内部空间的密闭空间形成部,在该内部空间中中,利用所述清洗液对所述基板进行清洗处理。
11.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
从所述多个喷射口中的每一个喷射口喷射的所述清洗液的流量小于等于每分钟1升。
12.如权利要求11所述的基板处理装置,其特征在于,
从所述多个喷射口中的至少一个喷射口喷射的所述清洗液的喷射方向与所述中心轴所成的角度大于等于30度。
13.如权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有用于形成被密闭的内部空间的密闭空间形成部,在该内部空间中,利用所述清洗液对所述基板进行清洗处理。
14.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
从所述多个喷射口中的至少一个喷射口喷射的所述清洗液的喷射方向与所述中心轴所成的角度大于等于30度。
15.如权利要求14所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有用于形成被密闭的内部空间的密闭空间形成部,在该内部空间中,利用所述清洗液对所述基板进行清洗处理。
16.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有用于形成被密闭的内部空间的密闭空间形成部,在该内部空间中,利用所述清洗液对所述基板进行清洗处理。
17.如权利要求1至16中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
从所述多个喷射口中的每一个喷射口连续地呈液柱状地喷射所述清洗液。
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