[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及处理基板的技术。

背景技术

以往，在半导体基板（以下，简称为“基板”。）的制造工序中，利用多种基板处理装置对基板进行各种处理。例如，通过向在表面上形成有抗蚀剂的图案的基板供给药液，来对基板的表面进行蚀刻等处理。另外，在蚀刻处理结束后，还进行去除基板上的抗蚀剂或者清洗基板的处理。

例如，在日本特开2004－158588号公报中，公开有利用去除液去除附着在基板上的有机物的基板处理装置。在该基板处理装置中，从纯水喷嘴向旋转的基板上供给纯水，从而进行基板的清洗。

但是，公知有以下情况，即，在利用纯水进行的基板的清洗处理中，由于在表面形成有绝缘膜的基板与电阻率大的纯水之间的接触等，而使基板带电。当基板的带电量增大时，可能产生在清洗过程中或清洗后的颗粒的再次附着或由放电导致的配线的损伤等。

作为抑制基板的带电的方法，公知有以下方法：即，利用通过将二氧化碳溶解在纯水中而使电阻率减小的二氧化碳水溶液来清洗基板。但是，当在基板上形成有铜配线时，在利用二氧化碳水溶液进行的清洗中，铜配线可能被二氧化碳水溶液腐蚀。另外，与利用纯水进行的清洗相比，清洗处理所需要的成本增大。

发明内容

本发明涉及用于处理基板的基板处理装置，其目的在于实现在适当地进行基板的清洗的同时抑制基板的带电。

本发明的基板处理装置具有：基板支撑部，支撑水平状态的基板；喷嘴，从多个喷射口向所述基板的上表面的中央部喷射作为清洗液的纯水；基板旋转机构，使所述基板支撑部与所述基板一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转。根据本发明，能够在适当地进行基板的清洗的同时抑制基板的带电。

在本发明的一个优选的实施方式中，所述多个喷射口包含：中心喷射口，配置在中央；以及多个周边喷射口，以等角度间隔地配置在以所述中心轴为中心的圆周上。

在本发明的其他的优选的实施方式中，所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心的半径小于等于60mm的圆内。

在本发明的其他的优选的实施方式中，所述多个喷射口配置在以所述中心轴为中心且半径小于等于所述基板的半径的40％的圆内。

在本发明的其他的优选的实施方式中，从所述多个喷射口中的每一个喷射口喷射的所述清洗液的流量小于等于每分钟1升。

在本发明的其他的优选的实施方式中，从所述多个喷射口中的至少一个喷射口喷射的所述清洗液的喷射方向与所述中心轴所成的角度大于等于30度。

在本发明的其他的优选的实施方式中，还具有用于形成被密闭的内部空间的密闭空间形成部，在该内部空间中，利用所述清洗液对所述基板进行清洗处理。

在本发明的其他的优选的实施方式中，从所述多个喷射口中的每一个喷射口连续地呈液柱状地喷射所述清洗液。

本发明也用于处理基板的基板处理方法。

上述目的和其他目的、特征、形态以及优点，通过参照附图来进行的本发明的详细说明变得清楚。

附图说明

图1是一个实施方式的基板处理装置的剖视图。

图2是上部喷嘴的仰视图。

图3是示出气液供给部和气液排出部的框图。

图4是示出基板处理装置中的处理的流程的图。

图5和图6是基板处理装置的剖视图。

图7是示出基板的电位的图。

图8是示出比较例的基板处理装置中的纯水的流量与基板的电位之间的关系的图。

图9是示出基板上的纯水的膜厚分布的图。

图10是示出上部喷嘴的其他例子的仰视图。

图11和图12是示出喷射方向的倾斜角与基板的电位之间的关系的图。

附图标记的说明

1：基板处理装置；

9：基板；

12：腔室；

15：基板旋转机构；

91：（基板的）上表面；

120：腔室空间；

121：腔室主体；

122：腔室盖部；

141：基板支撑部；

181：181b：上部喷嘴；

188：喷射口；

188a：中心喷射口；

188b：周边喷射口；

J1：中心轴；

S11～S16：步骤。

具体实施方式