[发明专利]电子装置及其制造方法、以及振荡器在审

专利信息
申请号: 201410123288.1 申请日: 2014-03-28
公开(公告)号: CN104071741A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 吉泽隆彦 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: B81B3/00 分类号: B81B3/00;B81C1/00;H03H9/02
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;苏萌萌
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子 装置 及其 制造 方法 以及 振荡器
【权利要求书】:

1.一种电子装置,包括:

基板;

基底层,其被形成在所述基板上且具有开口;

功能元件,其被设置在所述基底层上;

包围壁,其为形成对所述功能元件进行收纳的空腔的包围壁,并且至少一部分被配置于所述开口内。

2.如权利要求1所述的电子装置,其中,

所述开口贯穿所述基底层,

所述基板在与所述基底层的所述开口相对应的位置处具有凹部,

所述包围壁的至少一部分被配置于所述凹部内。

3.如权利要求1或2所述的电子装置,其中,

所述包围壁的下表面由含钛的材质形成。

4.如权利要求1或2所述的所述的电子装置,其中,

所述包围壁的下表面具有凹凸。

5.一种电子装置的制造方法,包括如下工序:

在基板上形成基底层的工序;

在所述基底层之上形成功能元件的工序;

在所述基板上形成晶体管的工序;

形成对所述功能元件以及所述晶体管进行覆盖的第一绝缘层的工序;

形成对所述第一绝缘层的耐腐蚀层进行覆盖的工序;

将所述基底层上的所述耐腐蚀层去除的工序;

形成对所述耐腐蚀层以及所述第一绝缘层进行覆盖的第二绝缘层的工序;

对所述第二绝缘层进行蚀刻而使所述晶体管上的所述耐腐蚀层露出,并且对所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层进行蚀刻从而以至少部分包围所述功能元件的形状使所述基底层露出的工序;

对露出的所述耐腐蚀层进行蚀刻而使所述晶体管上的所述第一绝缘层露出,并且对露出的所述基底层进行蚀刻从而在所述基底层上形成开口的工序;

将所述晶体管上的所述第一绝缘层去除的工序;

在所述晶体管上以及所述开口上形成导电层的工序。

6.如权利要求5所述的电子装置的制造方法,其中,

在所述基底层上形成开口的工序中,贯穿了露出的所述基底层,

所述电子装置的制造方法还包括在与所述开口相对应的位置的所述基板上形成凹部的工序,

在所述晶体管上以及所述开口上形成导电层的工序中,在所述凹部中形成导电层。

7.如权利要求5或6所述的电子装置的制造方法,其中,

在形成所述导电层的工序中包括形成钛层的工序。

8.一种振荡器,其中,

将权利要求1或权利要求2所述的电子装置作为所述振荡器,且所述振荡器还包括对所述功能元件进行驱动的电路部。

9.一种振荡器,其中,

将权利要求3所述的电子装置作为所述振荡器,且所述振荡器还包括对所述功能元件进行驱动的电路部。

10.一种振荡器,其中,

将权利要求4所述的电子装置作为所述振荡器,且所述振荡器还包括对所述功能元件进行驱动的电路部。

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