[发明专利]电子装置及其制造方法、以及振荡器

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子装置及其制造方法、以及振荡器。

背景技术

已知一种将MEMS（Micro Electro Mechanical Systems：微机电系统）等的功能元件配置在被形成于基板上的空腔中的电子装置。例如，在专利文献1中记载有一种将功能元件形成在基板上的电子装置。专利文献1中所记载的电子装置通过如下方式而被制造，即，在基板上形成功能元件，且以覆盖功能元件的方式形成层间绝缘层，并将位于功能元件周围的层间绝缘层去除（脱模蚀刻）从而形成空腔。

近年来，电子装置的微型化取得了进展，通路部、接头、保护环等的尺寸逐渐变得非常小。在利用较薄的保护环等形成如上述引用文献1所记载的电子装置那样的空腔的情况下，存在如下可能性，即，在脱模蚀刻时侧壁容易决口，从而使未预定的区域的层间绝缘层被去除。此外，由此使得脱模蚀刻的时间管理中的余量变小。此外，由于侧壁较薄，因此也存在机械强度不足的可能性。

而且，在同一基板上形成晶体管的情况下，存在为了使晶体管与接头的接合更加良好而使钛层介于其间的情况。而且，在通过同一处理形成覆盖空腔的侧壁与接头的情况下，由于在侧壁上形成有钛层，因此也存在如下可能性，即，在脱模蚀刻时该钛层将被蚀刻，从而使未预定的区域的层间绝缘层被去除。

专利文献1：日本特开2008-221435号公报

发明内容

本发明的几个方式所涉及的目的之一为，提供一种在形成于基板上的空腔内配置有功能元件的电子装置，并且提供一种容易进行脱模蚀刻、且机械强度优良的可靠性较高的电子装置、振荡器、以及电子装置的制造方法。

本发明是为了解决上述的课题的至少一部分而完成的发明，并且可以作为以下方式或应用例而实现。

应用例1

本发明所涉及的电子装置的一个方式为，包括：基板；基底层，其被形成在所述基板上且具有开口；功能元件，其被设置在所述基底层上；包围壁，其为形成对所述功能元件进行收纳的空腔的包围壁，并且至少一部分被配置于所述开口内。

在本应用例所涉及的电子装置中，包围壁的一部分被埋入配置在基底层的开口内。由此，由于包围壁被嵌入在成为基部的基底层中，因此提高了形成空腔的部件的机械强度。此外，由此，能够使脱模蚀刻时蚀刻剂漏出的路径延长，并因能够较大程度地获得脱模蚀刻时的处理余量（时间余量）而使制造容易。

应用例2

在应用例1中，所述开口可以贯穿所述基底层，所述基板可以在与所述基底层的所述开口相对应的位置处具有凹部，可以使所述包围壁的至少一部分被配置于所述凹部内。

在本应用例的电子装置中，包围壁的一部分被埋入配置在基板的凹部内。由此，能够进一步提高包围壁的机械强度，而且由此能够进一步延长脱模蚀刻时蚀刻剂漏出的路径。

应用例3

在应用例1或应用例2中，所述包围壁的下表面可以由含钛材料形成。

在本应用例所涉及的电子装置中，由钛构成的部分被配置于远离成为空腔的部分的位置上。因此，蚀刻剂很难与脱模蚀刻时容易被蚀刻剂所侵蚀的部分相接触。由此，能够降低蚀刻剂漏出的可能性。

应用例4

在应用例1至应用例3中的任意一个示例中，所述包围壁的下表面可以具有凹凸。

在本应用例的电子装置中，进一步提高了包围壁的机械强度，而且，能够进一步延长脱模蚀刻时蚀刻剂漏出的路径。

应用例5

本发明所涉及的电子装置的制造方法的一个方式为，包括如下工序：在基板上形成基底层的工序；在所述基底层之上形成功能元件的工序；在所述基板上形成晶体管的工序；形成对所述功能元件以及所述晶体管进行覆盖的第一绝缘层的工序；形成对所述第一绝缘层的耐腐蚀层进行覆盖的工序；将所述基底层上的所述耐腐蚀层去除的工序；形成对所述耐腐蚀层以及所述第一绝缘层进行覆盖的第二绝缘层的工序；对所述第二绝缘层进行蚀刻而使所述晶体管上的所述耐腐蚀层露出，并且对所述第二绝缘层以及所述第一绝缘层进行蚀刻从而以至少部分包围所述功能元件的形状使所述基底层露出的工序；对露出的所述耐腐蚀层进行蚀刻而使所述晶体管上的所述第一绝缘层露出，并且对露出的所述基底层进行蚀刻从而在所述基底层上形成开口的工序；将所述晶体管上的所述第一绝缘层去除的工序；在所述晶体管上及所述开口上形成导电层的工序。

根据本应用例的制造方法，能够制造出可较大程度地获得用于形成空腔的第一绝缘层的蚀刻（脱模蚀刻）时的处理余量（时间余量）、且机械强度优良的可靠性较高的电子装置。

应用例6