[发明专利]磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定方法和装置有效
申请号: | 201410123909.6 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN104950166B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 林厚全;唐煜 | 申请(专利权)人: | 西门子(深圳)磁共振有限公司 |
主分类号: | G01R21/06 | 分类号: | G01R21/06;G06F17/15;G01R33/32 |
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地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁共振 成像 系统 射频 线圈 功率 损耗 确定 方法 装置 | ||
1.一种磁共振成像系统的射频线圈功率损耗的确定方法,包括:
执行一负载全反射测试;
检测所述负载全反射测试的一负载全反射功率损耗;
基于所述负载全反射功率损耗和一特定参数之积确定所述射频线圈功率损耗,
所述特定参数是K,
其中,所述射频线圈是具有一第一端口和一第二端口的一体线圈,U1是射频线圈第一端口射频电压,U2是射频线圈第二端口射频电压;U1_ref是负载全反射第一端口射频电压,U2_ref是负载全反射第二端口射频电压,
利用所述射频线圈执行一磁共振扫描,并根据所述磁共振扫描时所述磁共振成像系统的功率分配器的一第一功率特性参数以及该功率分配器与该射频线圈之间的一传输路径参数,确定所述射频线圈第一端口射频电压和所述射频线圈第二端口射频电压,
根据所述负载全反射测试时所述磁共振成像系统的功率分配器的一第二功率特性参数及所述传输路径参数,确定所述负载全反射第一端口射频电压和负载全反射第二端口射频电压。
2.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述确定所述射频线圈第一端口射频电压和所述射频线圈第二端口射频电压包括:
其中,所述第一功率特性参数包括:一第一输入端口的一入射功率值PF和一反射功率值PR;一第二输入端口的一入射功率值PK和一反射功率值PD,其中PK等于零;
所述传输路径参数包括:一第一端口路径幅度衰减A1、一第一端口路径相位一第二端口路径幅度衰减A2、一第二端口路径相位
3.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,还包括:利用所述射频线圈执行一磁共振扫描,检测所述射频线圈第一端口射频电压和所述射频线圈第二端口射频电压。
4.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述确定所述负载全反射第一端口射频电压和负载全反射第二端口射频电压包括:
其中,所述第二功率特性参数包括:一第一输入端口的一入射功率值PF_ref和一反射功率值PR_ref;一第二输入端口的一入射功率值PK_ref和一反射功率值PD_ref,其中PK_ref等于零;
所述传输路径参数包括:一第一端口路径幅度衰减A1、一第一端口路径相位一第二端口路径幅度衰减A2、一第二端口路径相位
5.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,还包括:检测所述负载全反射第一端口射频电压和所述负载全反射第二端口射频电压。
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