[发明专利]回收单元、利用该回收单元的基体处理设备和回收方法有效
申请号: | 201410126255.2 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN104078389B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 郑恩先;金禹永;许瓒宁 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 潘炜,刘向辉 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 回收 单元 利用 基体 处理 设备 方法 | ||
技术领域
本文中公开的本发明涉及一种基体制造设备,并且更具体地,涉及一种用于回收在超临界干燥处理中使用的超临界流体的单元、包括该单元的基体处理设备以及回收方法。
背景技术
通过用于在比如为硅晶片的基体上形成电路图案的比如为光刻处理的各种处理来制造半导体器件。然而,在制造处理期间,可能生成各种外来物质,比如微粒、有机污染物、金属杂质或类似物。由于外来物质引起基体瑕疵,这可以对半导体器件的产量具有直接影响。因此,在半导体制造处理中实质上可能涉及用于去除外来物质的清洁处理。
在通常的清洁处理中,通过使用清洁剂来从基体上去除外来物质,并且然后通过使用去离子水(DI-水)来清洁基体。此后,通过使用异丙醇(IPA)来干燥基体。然而,由于在半导体器件具有精细的电路图案时干燥处理的干燥效率降低,并且其中电路图案在干燥处理期间被破坏的图案塌陷现象频繁发生,所以干燥处理对于具有大约30nm或更小的线宽的半导体器件可能是不合适的。
因此,正在积极开展针对用于通过使用超临界流体来干燥基体的技术的研究以便弥补上述缺点。
发明内容
本发明提供一种能够延长在回收超临界流体时所使用的吸收剂的寿命周期的基体处理设备。
本发明的目的不限于上述内容,而是通过下面的描述将使本领域技术人员清楚地理解本文中未描述的其他目的。
本发明的实施方式提供基体处理设备,该基体处理设备包括:处理室,在处理室中通过使用作为超临界流体提供的流体将保留在基体上的有机溶剂溶解以干燥基体;以及回收单元,该回收单元包括将有机溶剂与从处理室排出的流体分离以回收流体的回收器,其中,回收器包括:具有用于吸收有机溶剂的吸收剂存储其中的空间的柱状体;将从处理室排出的流体供给至柱状体的空间内的供给管;将在柱状体中与有机溶剂分离的流体排出的排出管;将净化气体供给至柱状体内以便将有机溶剂与吸收剂分离的气体供给管;以及将包含有机溶剂的净化气体排出至柱状体的外部的排出管。
在一些实施方式中,基体处理设备还可以包括对供给至柱状体内的净化气体进行加热的加热器。
在其他实施方式中,基体处理设备还可以包括:设置在气体供给管中以调节净化气体的供给量的阀;以及控制阀以使得随着时间的推移不均匀地供给净化气体的控制器。
在又一些其他实施方式中,控制器可以以第一量供给净化气体一小时并且以第二量供给净化气体两小时,其中,第一量可以大于第二量,以及可以连续地重复一小时和两小时。
在又一些其他实施方式中,第二量可以是零。
在再一些其他实施方式中,控制器可以控制阀以使得以脉冲状的方式供给净化气体。
在另外的实施方式中,基体处理设备还可以包括浓度传感器,浓度传感器设置在排出管中以测量包含在从排出管排出的流体中的有机溶剂的浓度,其中,当测量的浓度值达到预设值时,控制器可以控制净化气体以使得净化气体供给至柱状体内以回收吸收剂。
在又一些另外的实施方式中,有机溶剂可以包括异丙醇(IPA),并且流体可以包括二氧化碳(CO2)。
在还一些另外的实施方式中,吸收剂可以包括沸石。
在再一些另外的实施方式中,回收单元还可以包括设置在处理室与回收器之间的分离器,其中,分离器可以将从处理室排出的流体进行冷却以将有机溶剂与流体分离,从而将流体供给至回收器内。
在又一些另外的实施方式中,可以设置有多个柱状体,并且多个柱状体可以彼此串联连接。
在本发明的其他实施方式中,回收单元包括:具有用于吸收有机溶剂的吸收剂存储其中的空间的柱状体;将从处理室排出的流体供给至柱状体的空间内的供给管;将在柱状体中与有机溶剂分离的流体排出的排出管;将净化气体供给至柱状体内以使得有机溶剂与吸收剂分离的气体供给管;以及将包含有机溶剂的净化气体排出至柱状体的外部的排出管,其中,有机溶剂与从处理室排出的流体分离以回收流体。
在一些实施方式中,回收单元还可以包括对供给至柱状体内的净化气体进行加热的加热器。
在其他实施方式中,回收单元还可以包括:设置在气体供给管中以调节净化气体的供给量的阀;以及控制阀以使得随着时间的推移不均匀地供给净化气体的控制器。
在又一些其他实施方式中,有机溶剂可以包括异丙醇(IPA),并且流体可以包括二氧化碳(CO2)。
在再一些其他实施方式中,吸收剂可以包括沸石。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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