[发明专利]TFT基板的防静电方法有效
| 申请号： | 201410126866.7 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103882400A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张迅;王海涛;李金鑫;易伟华 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 静电 方法 | ||
1.一种TFT基板的防静电方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供TFT基板；及
采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，所述中频磁控溅射的电压为250V～300V，功率为700w～1000w。
2.根据权利要求1所述的TFT基板的防静电方法，其特征在于，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述中频磁控溅射的真空度为2.5×10-1Pa～3.50×10-1Pa。
3.根据权利要求1所述的TFT基板的防静电方法，其特征在于，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述TFT基板的温度为90℃～120℃。
4.根据权利要求1所述的TFT基板的防静电方法，其特征在于，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述TFT基板的运行速度为20mm/s～35mm/s。
5.根据权利要求1所述的TFT基板的防静电方法，其特征在于，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述TFT基板与溅射靶材的距离为10mm～30mm。
6.根据权利要求1所述的TFT基板的防静电方法，其特征在于，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述ITO薄膜的厚度为
7.根据权利要求1所述的TFT基板的防静电方法，其特征在于，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，采用氧气作为反应气体，采用氩气作为工艺气体，所述氧气和氩气的总气压为0.3Pa。
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