[发明专利]TFT基板的防静电方法

说明书

技术领域

本发明涉及镀膜技术领域，特别是涉及TFT基板的防静电方法。

背景技术

目前，对TFT（Thin-Film Transistor）基板进行防静电的方法大多采用直流溅射镀膜或蒸发镀膜的方法在TFT基板制备ITO薄膜（氧化铟锡薄膜）。

然而，传统的直流溅射镀膜及蒸发镀膜所制备的ITO薄膜的厚度均匀性较差，要求的电源电压及功率高，其电压一般为350V～380V，功率在1100w～1300w，能耗较大。

发明内容

基于此，有必要提供一种能耗较小、能够提高膜层厚度均匀性的TFT基板的防静电方法。

一种TFT基板的防静电方法，包括如下步骤：

提供TFT基板；及

采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜，其中，所述中频磁控溅射的电压为250V～300V，功率为700w～1000w。

在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述中频磁控溅射的真空度为2.5×10^-1Pa～3.50×10^-1Pa。

在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述TFT基板的温度为90℃～120℃。

在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述TFT基板的运行速度为20mm/s～35mm/s。

在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述TFT基板与溅射靶材的距离为10mm～30mm。

在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，所述ITO薄膜的厚度为

在其中一个实施例中，所述采用中频磁控溅射在所述TFT基板上制备ITO薄膜的步骤中，采用氧气作为反应气体，采用氩气作为工艺气体，所述氧气和氩气的总气压为0.3Pa。

上述TFT基板的防静电方法采用中频磁控溅射的方法在TFT基板上制备ITO薄膜，所采用的电压和功率较低，能耗较小，并且该方法所制备的ITO薄膜的厚度均匀性较好，使得TFT基板的防静电效果较好。

附图说明

图1为一实施方式的TFT基板的防静电方法的流程图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

请参阅图1，一实施方式的TFT基板的防静电方法，包括如下步骤S110～步骤S120。

步骤S110：提供TFT基板。

TFT基板为已减薄的TFT基板。

在进行镀膜之前，使用WG清洗机对已减薄的TFT基板进行清洗，以除去TFT基板的表面脏污及灰尘，清洗干净后依次经冷风、热风干燥，检验表面质量，合格，备用。

步骤S120：采用中频磁控溅射在TFT基板上制备ITO薄膜，其中，中频磁控溅射的电压为250V～300V，功率为700w～1000w。

采用中频磁控溅射制备ITO薄膜，所使用的电压为250V～300V，功率为700w～1000w，电压和功率均低于传统的直流磁控溅射镀膜和蒸发镀膜，能耗低，较为节能环保，有利于降低制备成本。并且，经测试表明，所制备的ITO薄膜的厚度均匀性较好，有利于提高TFT基板的防静电效果。

由于中频磁控溅射工艺控制要求较为严格，所以传统一般都不采用中频磁控溅射制备ITO薄膜。

优选地，中频磁控溅射的真空度为2.5×10^-1Pa～3.50×10^-1Pa。TFT基板的运行速度为20mm/s～35mm/s，更优选为30mm/s。

镀膜过程中，TFT基板的温度为90℃～120℃，更优选为100℃。优选地，将TFT基板从室温加热至90℃～120℃所用的时间为650s～800s，更优选为720s。在650s～800s内升温至90℃～120℃，在保证生产效率的同时，有利于降低破片率，提高良率。

采用ITO靶材作为溅射靶材。优选地，TFT基板与溅射靶材的距离为10mm～30mm，更优选为20mm。