[发明专利]一种集成电路用RC触发式ESD保护电路有效

专利信息
申请号: 201410127350.4 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN103915436A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 乔明;马金荣;齐钊;石先龙;曲黎明;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/60
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李顺德;王睿
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成电路 rc 触发 esd 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种集成电路用RC触发式ESD保护电路,包括:RC触发电路(103)和衬底触发的SCR器件(104);触发电路(103)包括一个电阻(305)、一个电容(302)、两个PMOS管(301和303)、一个NMOS管(304);第一PMOS管(301)的源极接VDD电源线(101),其漏极通过电容(302)接VSS电源线(102),其栅极接第二PMOS管(303)的漏极和NMOS管(304)的栅极;第一PMOS管(301)的漏极和电容(302)的连接点(306)接第二PMOS管(303)的栅极和NMOS管(304)的漏极;第二PMOS管(303)的源极接VDD电源线(101),NMOS管(304)的源极接VSS电源线(102);第二PMOS管(303)的漏极通过电阻(305)接VSS电源线(102),第二PMOS管(303)的漏极和电阻(305)的连接点(307)接衬底触发的SCR器件(104)的P+触发区;衬底触发的SCR器件(104)的高电位P+区接VDD电源线(101),衬底触发的SCR器件(104)的低电位N+区接VSS电源线(102)。

2.根据权利要求1所述的集成电路用RC触发式ESD保护电路,其特征在于,所述RC触发电路(103)还具有第三PMOS管(308),其中第一PMOS管(301)的漏极不直接连接电容(302),第一PMOS管(301)的漏极接第三PMOS管(308)的源极,第三PMOS管(308)的漏极通过电容(302)接VSS电源线(102),第一PMOS管(301)和第三PMOS管(308)的栅极互连并接第二PMOS管(303)的漏极和NMOS管(304)的栅极。

3.根据权利要求1或2所述的集成电路用RC触发式ESD保护电路,其特征在于,所述电阻(305)采用两个或多个串联的电阻(305)代替。

4.根据权利要求1或2所述的集成电路用RC触发式ESD保护电路,其特征在于,所述RC触发电路(103)还具有由第四PMOS管(504)和第二NMOS管(508)构成的反相器,但所述衬底触发的SCR器件(104)应采用N+触发的衬底触发SCR器件;此时,第二PMOS管(303)的漏极和电阻(305)的连接点(307)不直接连接N+触发的衬底触发SCR器件的N+触发区,而是连接第四PMOS管(504)和第二NMOS管(508)的栅极,第四PMOS管(504)的源极接VDD电源线(101),第二NMOS管(508)的源极接VSS电源线(102),第四PMOS管(504)和第二NMOS管(508)的漏极的互连点(511)接N+触发的衬底触发SCR器件的N+触发区。

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