[发明专利]触控装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410127386.2 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104951116B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 梁威康;吴湘婷;巫柏毅;吕正源 | 申请（专利权）人： | 宸盛光电有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国香港铜锣湾希慎道*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种触控装置，其特征在于，该触控装置包含：
至少一个感应单元，该感应单元包括
一基板，具有电绝缘性及透光性；
多个触控电极结构，相互间隔地设置于该基板同一表面上且彼此电性绝缘，该些触控电极结构是分别由一沟槽所界定；及
至少一个虚设电极组，设置于该基板上且位于相邻的所述触控电极结构之间，该虚设电极组形成一条由其顶面贯穿至该基板的凹沟且包括多个由该凹沟分隔界定的虚设电极结构，该凹沟在相邻的该些触控电极结构之间延伸并形成至少一个弯折。
2.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟的延伸形状为分段的直线形，且该凹沟的弯折处的角度为锐角。
3.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折。
4.根据权利要求3所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟的弯折分别位在邻近所述触控电极结构的位置。
5.根据权利要求3所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟区分为相互连接的一第一沟部及一第二沟部，该第一沟部的弯折位在邻近所述触控电极结构的位置，该第二沟部的弯折位在所述触控电极结构之间。
6.根据权利要求5所述的触控装置，其特征在于：该凹沟的第一沟部与第二沟部相互交错而呈交叉网状。
7.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟的弯折呈弧形。
8.根据权利要求7所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟形成多个弯折，且该凹沟的弯折分别位于邻近所述触控电极结构的位置。
9.根据权利要求7所述的触控装置，其特征在于：该虚设电极组的凹沟的延伸分布形状为螺旋状。
10.根据权利要求7所述的触控装置，其特征在于：该凹沟的弧形弯折的半径介于50微米至250微米之间。
11.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：该凹沟的宽度介于15微米至40微米之间。
12.根据权利要求1所述的触控装置，其特征在于：该凹沟是形成在所述沟槽之间。
13.一种触控装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包含以下步骤：
步骤(A)在一基板上制作一结构体；
步骤(B)对该结构体施以镭射蚀刻，使该结构体凹陷形成至少一条凹沟，该凹沟由该结构体的顶面贯穿至该基板，且延伸形成至少一个弯折，并由镭射依照一预定路径连续不断地蚀刻而制成，以形成包括多个由该凹沟分隔界定的虚设电极结构的虚设电极组；及
在该步骤(A)与该步骤(B)之间或在该步骤(B)之后还包含一步骤(C)：对该结构体施以镭射蚀刻，使该结构体凹陷形成两条相互间隔的沟槽，所述沟槽分别由该结构体的顶面贯穿至该基板，且分别形成一封闭形状，而对该结构体界定出两个触控电极结构。
14.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：该凹沟是形成在所述沟槽之间。
15.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于该步骤(B)中该凹沟的延伸形状为分段的直线形，且该凹沟的弯折的角度为锐角。
16.根据权利要求13所述的触控装置的制造方法，其特征在于：于该步骤(B)中该凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折。
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