[发明专利]触控装置及其制造方法

说明书

一种触控装置，包含至少一个感应单元，该感应单元包括一基板、多个触控电极结构及至少一个虚设电极组。所述触控电极结构相互间隔地设置于该基板同一表面上且彼此电性绝缘。该虚设电极组设置于该基板上且位于相邻的所述触控电极结构之间，其凹陷形成一条由其顶面贯穿至该基板的凹沟且包括多个由该凹沟分隔界定的虚设电极结构，该凹沟在相邻的触控电极结构之间延伸并形成至少一个弯折。

技术领域

本发明涉及一种触控装置及其制造方法，特别是涉及一种通过镭射蚀刻技术制造的触控装置及采用镭射蚀刻技术的制造方法。

背景技术

触控技术已广泛应用于各种电子设备，例如中国台湾第I430160号专利，即提出一种触控屏幕面板及其制造方法。该触控屏幕面板包含触控电极、绝缘结构、导电线路等结构，于制作过程中所述结构是分别独立制作，且各自的制作过程均包含镀膜、光刻、蚀刻等制程。

然而，此种采用镀膜、光刻、蚀刻技术进行的制作方法，制程步骤过于繁复，不利于生产速度的提升及成本的降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种以简便制程技术制作且具有优良性能的触控装置。

本发明触控装置，包含至少一个感应单元，该感应单元包括一基板、多个触控电极结构及至少一个虚设电极组。所述触控电极结构相互间隔地设置于该基板同一表面上且彼此电性绝缘。所述虚设电极组设置于该基板上且位于相邻的所述触控电极结构之间，其凹陷形成一条由其顶面贯穿至该基板的凹沟，并包括多个由其凹沟分隔界定的虚设电极结构，该凹沟在相邻的触控电极结构之间延伸并形成至少一个弯折。

较佳地，该虚设电极组的凹沟的延伸形状为分段的直线形，且该凹沟的弯折的角度为锐角。

较佳地，该虚设电极组的凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折。

较佳地，该虚设电极组的凹沟的弯折分别位在邻近所述触控电极结构的位置。

较佳地，该虚设电极组的凹沟区分为相互连接的一第一沟部及一第二沟部，该第一沟部的弯折位在邻近所述触控电极结构的位置，该第二沟部的弯折位在所述触控电极结构之间。更佳地，该凹沟的第一沟部与第二沟部相互交错而呈交叉网状。

较佳地，该虚设电极组的凹沟的弯折呈弧形。

较佳地，该虚设电极组的凹沟形成多个弯折，且该凹沟的弯折分别位于邻近所述触控电极结构的位置。

较佳地，该虚设电极组的凹沟的延伸分布形状为螺旋状。

较佳地，该凹沟的弧形弯折的半径介于50微米至250微米之间。

较佳地，该凹沟的宽度介于15微米至40微米之间。

较佳地，该些触控电极结构是分别由一沟槽所界定。

本发明的另一目的，在提供一种触控装置的制造方法，该制造方法包含以下步骤：步骤(A)在一基板上制作一结构体；及步骤(B)对该结构体施以镭射蚀刻，使该结构体凹陷形成至少一条凹沟。该凹沟由该结构体的顶面贯穿至该基板，且延伸形成至少一个弯折，并由镭射依照一预定路径连续不断地蚀刻而制成。

较佳地，在该步骤(A)与该步骤(B)之间或在该步骤(B)之后还包含一步骤(C)：对该结构体施以镭射蚀刻，使该结构体凹陷形成两条相互间隔的沟槽，所述沟槽分别由该结构体的顶面贯穿至该基板，且分别形成一封闭形状，而对该结构体界定出两个触控电极结构；于步骤(B)该凹沟是形成在所述沟槽之间。

较佳地，于该步骤(B)中该凹沟的延伸形状为分段的直线形，且该凹沟的弯折的角度为锐角。

较佳地，于该步骤(B)中该凹沟的延伸分布形状为锯齿状，且该凹沟形成多个弯折。