[发明专利]一种基于半浮栅的双管增益存储器器件结构

权利要求书

1.一种基于半浮栅的双管增益存储器器件结构，其特征在于，所述存储器器件结构包括：

一SOI晶圆，包括底部衬底和位于底部衬底之上的掩埋层及包括掩埋层上方的半导体层，且在所述半导体层中还制备有多个存储器单元，每个存储器单元包括位于所述半导体层中的相互绝缘隔离的一个存储管和一个选通管，且所述存储管的栅极与所述选通管的源极电性连接，构成一双管增益单元结构；

其中，所述存储器单元中设置有存储管区和选通管区，所述存储管包括一个半浮栅结构，从所述存储管区延伸到所述选通管区并籍由半浮栅结构电性接触选通管的源极。

2.如权利要求1所述的存储器器件结构，其特征在于，所述存储管位于所述存储管区中，所述选通管位于所述选通管区中。

3.如权利要求2所述的存储器器件结构，其特征在于，所述存储管包括：

在位于所述存储管区中的掩埋层的上方有第一半导体层，且该第一半导体层中设置有第一掺杂区、第二掺杂区和第一沟道区，其中，该第一半导体层和第二半导体层共同构成所述SOI晶圆的半导体层；

在位于所述第一沟道区和所述第二掺杂区的第一半导体层的上方有一第一栅氧层，且该第一栅氧层还部分位于所述第一掺杂区的第一半导体层的上方；

其中，在位于所述存储管区中，所述第一栅氧层的上方按照从下至上顺序还依次设置有半浮栅结构、第二栅氧层和栅极层。

4.如权利要求3所述的存储器器件结构，其特征在于，所述选通管包括：

在位于所述选通管区中的掩埋层的上方有第二半导体层，且该第二半导体层中设置有第三掺杂区、第四掺杂区和第二沟道区；

所述第一栅氧层还部分位于所述第三掺杂区中的第二半导体层的上方，所述半浮栅结构位于所述第一栅氧层的上方并延伸部分位于所述第三掺杂区中的第二半导体层的上方，所述第二栅氧层在所述半浮栅结构的上方及其位于所述选通管区一侧的侧壁上，且该第二栅氧层还位于剩余的位于所述第三掺杂区中的第二半导体层的上方、位于所述第二沟道区的第二半导体层的上方和部分位于所述第四掺杂区的第二半导体层的上方；

其中，所述栅极层位于所述第二栅氧层的上方，且该栅极层的上表面的高度在同一水平线上。

5.如权利要求4所述的存储器器件结构，其特征在于，所述存储器器件结构还包括一隔离墙：

所述隔离墙设置在所述掩埋层的上方，以隔离所述第一半导体层和所述第二半导体层，且所述第一栅氧层位于所述隔离墙的上方；

其中，所述隔离墙的上表面的高度、所述第一半导体层的上表面的高度和所述第二半导体层的上表面的高度均在同一水平面上。

6.如权利要求5所述的存储器器件结构，其特征在于，所述第二掺杂区和所述第三掺杂区临近所述隔离墙，所述第一掺杂区和所述第四掺杂区远离所述隔离墙。

7.如权利要求6所述的存储器器件结构，其特征在于，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区、所述第三掺杂区和所述第四掺杂区中均设置有轻掺杂区和重掺杂区，其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的重掺杂区为源/漏极，第三掺杂区的重掺杂区为源极，第四掺杂区的重掺杂区为漏极；

所述第一栅氧层在位于所述第三掺杂区中重掺杂的第二半导体层的部分表面的上方，且该第一栅氧层不与所述第一掺杂区中的重掺杂区接触，而所述半浮栅在位于所述第三掺杂区中重掺杂区的第二半导体层的剩余表面的上方；所述第二栅氧层在位于所述第四掺杂区中重掺杂区的第二半导体层部分表面的上方。

8.如权利要求7所述的存储器器件结构，其特征在于，位于所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第四掺杂区中的重掺杂区上还设置有互连线，且位于所述栅极层上方也设置有互连线。

9.如权利要求1所述的存储器器件结构，其特征在于，所述选通管的栅极与存储器器件的写字线连接，且该选通管的漏极与存储器器件的写位线连接；所述存储管的一源/漏极与存储器器件的读字线连接，且该存储管的另一源/漏极则与存储器器件的读位线连接；其中，选通管的栅极为栅极层，存储管的栅极为半浮栅结构。

10.如权利要求1所述的存储器器件结构，其特征在于，所述存储管为PMOS结构或NMOS结构，所述选通管为PMOS结构或NMOS结构。