[发明专利]半导体结构与静电放电防护电路

权利要求书

1.一种半导体结构，包括一装置结构，包括：

一第一阱区；

一第二阱区，具有相反于该第一阱区的导电型；

一源极；

一漏极，具有与该源极相同的导电型，该源极与该漏极分别形成在该第一阱区与该第二阱区中；

一延伸掺杂区，邻接该漏极并延伸至该漏极的下方，且具有与该漏极相同的导电型；以及

一栅极，配置在该第一阱区上；

其中，该栅极包括栅介电质与形成在栅介电质上的栅电极，栅介电质包括邻近源极的较薄介电部分与邻近漏极的较厚介电部分，该延伸掺杂区的下表面是位于该栅介电质的下表面下方。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该装置结构用作N型延伸漏极金属氧化物半导体(EDMOS)装置。

3.一种静电放电防护电路，包括一第一金属氧化物半导体装置与一第二金属氧化物半导体装置，使用第二金属氧化物半导体装置调整该静电放电防护电路的触发电压，以使该静电放电防护电路在受到静电放电时能轻易地被触发，其中该第一金属氧化物半导体装置与该第二金属氧化物半导体装置各包括：

一源极；

一漏极；

一有源基体；以及

一栅极，配置于该源极与该漏极之间的该有源基体上，其中一较高电压端耦接至该第一金属氧化物半导体装置与该第二金属氧化物半导体装置的该些漏极，一较低电压端耦接至该第一金属氧化物半导体装置的该源极与该栅极，该第一金属氧化物半导体装置的该有源基体耦接至该第二金属氧化物半导体装置的该源极；

其中，在该第一金属氧化物半导体装置与该第二金属氧化物半导体装置之间具有一隔离结构，用以分开该第一金属氧化物半导体装置与该第二金属氧化物半导体装置。

4.根据权利要求3所述的静电放电防护电路，更包括一电容与一电阻，该电容的相对两电极分别耦接至该第二金属氧化物半导体装置的该漏极与该栅极，该电阻的相对两侧分别耦接至该第一金属氧化物半导体装置的该源极与该第二金属氧化物半导体装置的该栅极，电容与电阻串联在该较高电压端与该较低电压端之间，该电容与该电阻之间的一节点耦接该第二金属氧化物半导体装置的该栅极。

5.根据权利要求3所述的静电放电防护电路，更包括一电容与一二极管，串联在该较高电压端与该较低电压端之间，该电容与该二极管之间的一节点耦接该第二金属氧化物半导体装置的该栅极。

6.一种半导体结构，包括一第一装置结构与一第二装置结构，使用第二装置结构调整该半导体结构的触发电压，以使该半导体结构在受到静电放电时能轻易地被触发，其中该第一装置结构与该第二装置结构各包括：

一第一阱区及/或一第二阱区；

一源极；

一漏极，该源极与该漏极的导电型相同于该第二阱区，并相反于该第一阱区；以及

一栅极，配置在该源极与该漏极之间的该第一阱区上，其中该第一装置结构的该源极、该第二装置结构的该源极、与该第二装置结构的该漏极配置在共享的该第一阱区中；

其中，在该第一装置结构与该第二装置结构之间具有一隔离结构，用以分开该第一装置结构与该第二装置结构。

7.根据权利要求1或6所述的半导体结构，其中该半导体结构是用作静电放电防护装置。

8.根据权利要求6所述的半导体结构，更包括一电阻或电容，耦接至该第二装置结构的该栅极，该第一装置结构为延伸漏极金属氧化物半导体(EDMOS)装置，该第二装置结构为金属氧化物半导体装置。

9.根据权利要求6所述的半导体结构，更包括一二极管，其相对两电极的其中之一耦接至该第二装置结构的该栅极，该第一装置结构为延伸漏极金属氧化物半导体(EDMOS)装置，该第二装置结构为金属氧化物半导体装置。