[发明专利]一种晶片位置检测方法和装置及处理晶片的设备

权利要求书

1.一种晶片位置的检测方法，用于检测腔室内的基座上的凹槽所承载的晶片的位置，其特征在于，所述检测方法包括：

步骤S1、利用探测器在所述凹槽上方对所述晶片进行检测，获取所述探测器的检测轨迹在所述晶片上和在所述凹槽上的各点的三维位置坐标；

步骤S21、获取所述检测轨迹与所述晶片的边缘的交点的信息；

步骤S22、根据所述交点的信息判定所述晶片的位置，当所述检测轨迹与所述晶片的边缘存在至少两个交点时，判定所述晶片偏离于所述凹槽，并根据所述交点的三维坐标确定所述晶片的位置，否则，判定所述晶片位于所述凹槽内。

2.根据权利要求1所述的晶片位置的检测方法，其特征在于，所述探测器的检测轨迹为圆形，所述检测轨迹的半径小于所述凹槽的半径，且所述检测轨迹与所述凹槽同轴。

3.根据权利要求1所述的晶片位置的检测方法，其特征在于，所述检测轨迹为两条垂直相交的线段，该两条线段的中点位于所述凹槽的直径上，且所述两条线段的长度相等并小于所述凹槽的直径。

4.根据权利要求1所述的晶片位置的检测方法，其特征在于，所述步骤S21包括：

判定所述检测轨迹上高度由零值发生突变或突变至零值的点为所述检测轨迹与所述晶片的边缘的交点并获取所述交点三维坐标信息，其中，所述零值为所述凹槽底面的高度值。

5.根据权利要求1所述的晶片位置的检测方法，其特征在于，在所述步骤S22中，根据所述交点的三维坐标确定所述晶片的中心的三维坐标。

6.一种晶片位置的检测装置，用于检测腔室内的基座上的凹槽承载的晶片的位置，其特征在于，所述检测装置包括：

探测器，该探测器设置于所述凹槽上方，用于对所述晶片进行检测，以获取所述探测器的检测轨迹在所述晶片上和在所述凹槽上的各点的三维位置坐标；

控制器，该控制器用于根据所述探测器的检测轨迹上的各点的三维位置坐标判定所述晶片的位置；

所述控制器执行：

获取所述检测轨迹与所述晶片的边缘的交点的信息；

根据所述交点的信息判定所述晶片的位置，当所述检测轨迹与所述晶片的边缘存在至少两个交点时，判定所述晶片偏离于所述凹槽，并根据所述交点的三维坐标确定所述晶片的位置，否则，判定所述晶片位于所述凹槽内。

7.根据权利要求6所述的晶片位置的检测装置，其特征在于，所述控制器获取所述检测轨迹与所述晶片的边缘的交点的信息时，执行：

判定所述检测轨迹上高度由零值发生突变或突变至零值的点为所述检测轨迹与所述晶片的边缘的交点并获取所述交点三维坐标信息，其中，所述零值为所述凹槽底面的高度值。

8.根据权利要求6所述的晶片位置的检测装置，其特征在于，所述控制器根据所述交点的三维坐标确定所述晶片的位置时，执行：

根据所述交点的三维坐标确定所述晶片的中心的三维坐标。

9.根据权利要求6至8中任意一项所述的晶片位置的检测装置，其特征在于，所述检测装置还包括显示部件，该显示部件用于根据所述控制器判定得到的所述晶片的位置显示所述晶片与所述凹槽的相对位置。

10.一种处理晶片的设备，该设备包括腔室和基座，所述基座上设置有用于承载晶片的凹槽，其特征在于，所述设备还包括权利要求6至9中任意一项所述的检测装置，所述腔室的顶盖上设置有预设形状的观察窗，所述检测装置中的探测器设置于所述观察窗上。

11.根据权利要求10所述的处理晶片的设备，其特征在于，所述观察窗为圆形观察窗，所述圆形观察窗的半径小于所述凹槽的半径，且所述圆形观察窗与所述凹槽同轴。

12.根据权利要求10所述的处理晶片的设备，其特征在于，所述观察窗为两个垂直相交的条形观察窗，该两个条形观察窗的中点位于经过所述凹槽的圆心的竖直线上，且所述两个条形观察窗的长度相等并小于所述凹槽的直径。