[发明专利]一种晶片位置检测方法和装置及处理晶片的设备

说明书

本发明提供一种晶片位置的检测方法、执行该检测方法的装置和一种处理晶片的设备，其中晶片位置的检测方法包括：步骤S1、利用探测器在所述凹槽上方对所述晶片进行检测，获取所述探测器的检测轨迹在所述晶片上和/或在所述凹槽上的各点的三维位置坐标；步骤S2、根据所述探测器的检测轨迹上的各点的三维位置坐标判定所述晶片的位置。本发明能够判定基座上凹槽所承载的晶片的位置，当晶片偏离于凹槽时，本发明还能够获取晶片中心的三维坐标，能够便于机械手调整位置，从而准确而无损地实现对晶片的抓取。

技术领域

本发明涉及半导体工艺设备，尤其涉及一种晶片位置的检测方法、执行该检测方法的装置和一种处理晶片的设备。

背景技术

在半导体工艺设备中，经常会用到刻蚀机、物理气相沉积和化学气相沉积等设备，在这类设备中，自动化装卸载时的传输准确度一定程度上决定了整个设备的工作效率和工作质量。

现有的设备中，通常是利用机械手按预设的坐标采用吸附的方式来对晶片进行装卸载，然而在实际应用中，往往会出现晶片位置存在误差的问题，当晶片位置的误差超过一定距离时，会导致机械手无法准确抓取，从而影响了生产效率。

申请号为CN03818138.X的中国专利提供了一种圆盘状物品的基准位置自动示教、定位、运送方法及装置，其技术方案中公开了扫描圆盘位置以获取圆盘中心位置的方法。然而该方法只能获取圆盘中心在平面上的二维坐标信息，但在实际设备中，晶片通常是承载在基座上具有一定深度的凹槽中，因此，若晶片的位置出现了偏离，其高度信息对于机械手实现无损、准确地抓取同样十分重要。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种晶片位置的检测方法、执行该检测方法的装置和一种处理晶片的设备，能够确定基座上的凹槽所承载的晶片的位置。

为实现上述目的，本发明提供一种晶片位置的检测方法，用于检测腔室内的基座上的凹槽所承载的晶片的位置，所述检测方法包括：

步骤S1、利用探测器在所述凹槽上方对所述晶片进行检测，获取所述探测器的检测轨迹在所述晶片上和/或在所述凹槽上的各点的三维位置坐标；

步骤S2、根据所述探测器的检测轨迹上的各点的三维位置坐标判定所述晶片的位置。

优选地，所述探测器的检测轨迹为圆形，所述检测轨迹的半径小于所述凹槽的半径，且所述检测轨迹与所述凹槽同轴。

优选地，所述检测轨迹为两条垂直相交的线段，该两条线段的中点位于所述凹槽的直径上，且所述两条线段的长度相等并小于所述凹槽的直径。

优选地，所述步骤S2包括：

步骤S21、获取所述检测轨迹与所述晶片的边缘的交点的信息；

步骤S22、根据所述交点的信息判定所述晶片的位置，当所述检测轨迹与所述晶片的边缘存在至少两个交点时，判定所述晶片偏离于所述凹槽，并根据所述交点的三维坐标确定所述晶片的位置，否则，判定所述晶片位于所述凹槽内。

优选地，所述步骤S21包括：

判定所述检测轨迹上高度由零值发生突变或突变至零值的点为所述检测轨迹与所述晶片的边缘的交点并获取所述交点三维坐标信息，其中，所述零值为所述凹槽底面的高度值。

优选地，在所述步骤S22中，根据所述交点的三维坐标确定所述晶片的中心的三维坐标。

相应地，本发明还提供一种晶片位置的检测装置，用于检测腔室内的基座上的凹槽承载的晶片的位置，所述检测装置包括：

探测器，该探测器设置于所述凹槽上方，用于对所述晶片进行检测，以获取所述探测器的检测轨迹在所述晶片上和/或在所述凹槽上的各点的三维位置坐标；