[发明专利]可挠式元件及其制造方法无效
申请号: | 201410130932.8 | 申请日: | 2014-04-02 |
公开(公告)号: | CN104576971A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 王冠仁;陈承义;赖台晏;林祺臻;蔡建民 | 申请(专利权)人: | 胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;G02F1/167;G02F1/13;G02B26/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可挠式 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种可挠式元件的制造方法,其特征在于,包括:
提供硬质基板;
形成离型层在该硬质基板上;
形成缓冲层在该离型层上;
形成电子元件在该缓冲层上;
通过该离型层将该缓冲层以及该电子元件自该硬质基板上分离;以及
将第一可挠式基板形成在该缓冲层以及该电子元件上,其中该缓冲层位于该电子元件与该第一可挠式基板之间。
2.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,形成该离型层在该硬质基板上的方法包括使该离型层覆盖该硬质基板的表面。
3.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,形成该离型层在该硬质基板上的方法包括使该离型层覆盖该硬质基板的表面的第一区。
4.根据权利要求3所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,形成该缓冲层的方法包括使该缓冲层覆盖在位在该第一区的该离型层,并且延伸至该表面的第二区以覆盖在该硬质基板。
5.根据权利要求4所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,通过该离型层将该缓冲层以及该电子元件自该硬质基板上分离之前,还进一步切除该硬质基板的该第二区以及位于该第二区的该缓冲层。
6.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,将该第一可挠式基板形成该缓冲层以及该电子元件上的方法包括:
涂布胶层在该缓冲层的远离该电子元件的一侧;以及
贴附该第一可挠式基板至该胶层。
7.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,将该第一可挠式基板形成该缓冲层以及该电子元件上的方法包括:
涂布塑胶溶液在该缓冲层的远离该电子元件的一侧;以及
固化该塑胶溶液以形成该第一可挠式基板。
8.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,还包括在将该第一可挠式基板形成该缓冲层以及该电子元件上之后,形成显示元件至该电子元件上。
9.根据权利要求8所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,还包括:
配置第二可挠式基板在该显示元件的远离该电子元件的一侧。
10.根据权利要求8所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,该显示元件包括有机发光二极管、电泳显示器、电湿润显示器或液晶显示器。
11.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,该离型层的材料包括片状六方结构的无机材料。
12.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,该离型层的材料包括硫化镉微纳米材料、氢氧化镁纳米材料、片状六方结构银、氮化硼、云母或滑石。
13.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,该电子元件包括多个薄膜晶体管或多个触控元件。
14.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,该离型层以涂布或是喷洒的方式形成在该硬质基板上。
15.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,该离型层的材料的玻璃转化温度高于600℃。
16.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,该缓冲层包括氧化硅、氮化硅或其组合。
17.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,该第一可挠式基板包括超薄玻璃、塑胶膜或不锈钢层。
18.根据权利要求17所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,该塑胶膜包括聚亚酰胺、乙烯对苯二甲酸酯、聚乙烯或聚碳酸酯。
19.根据权利要求1所述的可挠式元件的制造方法,其特征在于,该硬质基板为玻璃基板、陶瓷基板或或不锈钢钢板。
20.一种可挠式元件,其特征在于,包括:
第一可挠式基板;
缓冲层,配置在该第一可挠式基板上;以及
电子元件,配置在该缓冲层上。
21.根据权利要求20所述的可挠式元件,其特征在于,还包括离型层,位于该第一可挠式基板与该缓冲层之间,该离型层的材料包括片状六方结构的无机材料。
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