[发明专利]可挠式元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种可挠式元件及其制造方法。

背景技术

目前，可挠式元件的制作方式，通常是在一玻璃基板上涂抹塑胶溶液并将其固化以形成一可挠式基板，或是直接在玻璃基板上粘合一层可挠式基板。接着，在可挠式基板上制作所需要的电子元件，以形成可挠式元件。

电子元件以薄膜晶体管层为例，一般而言，薄膜晶体管的制作过程温度可能高达600度。然而，可挠式基板例如是聚亚酰胺（PI）、乙烯对苯二甲酸酯（PET）或聚乙烯（PEN）等的材料，其玻璃转化温度通常仅在300度至400度上下，较难承受上述的高温制作过程。

发明内容

本发明提供一种可挠式元件及其制造方法，其可避免可挠式基板在制造的过程中发生变质或是熔化的状况。

本发明的一种可挠式元件的制造方法，包括下列步骤，首先，提供一硬质基板。接着，形成一离型层在硬质基板上。再来，形成一缓冲层在离型层上。接着，形成一电子元件在缓冲层上。再来，通过离型层将缓冲层以及电子元件自硬质基板上分离。最后，将一第一可挠式基板形成在缓冲层以及电子元件上，其中缓冲层位于电子元件与第一可挠式基板之间。

在本发明的一实施例中，上述形成离型层在硬质基板上的方法包括使离型层覆盖硬质基板的一表面。

在本发明的一实施例中，上述形成离型层在硬质基板上的方法包括使离型层覆盖硬质基板的一表面的一第一区。

在本发明的一实施例中，上述形成缓冲层的方法包括使缓冲层覆盖在位在第一区的离型层，并且延伸至表面的一第二区以覆盖在硬质基板。

在本发明的一实施例中，上述通过离型层将缓冲层以及电子元件自硬质基板上分离之前，还进一步切除基板的第二区以及位于第二区的缓冲层。

在本发明的一实施例中，上述将第一可挠式基板形成缓冲层以及电子元件上的方法包括：涂布一胶层在缓冲层的远离电子元件的一侧；以及贴附第一可挠式基板至胶层。

在本发明的一实施例中，上述将第一可挠式基板形成缓冲层以及电子元件上的方法包括：涂布一塑胶溶液在缓冲层的远离电子元件的一侧；以及固化塑胶溶液以形成第一可挠式基板。

在本发明的一实施例中，还包括在将第一可挠式基板形成缓冲层以及电子元件上之后，形成一显示元件至电子元件上。

在本发明的一实施例中，还包括配置一第二可挠式基板在显示元件的远离电子元件的一侧。

在本发明的一实施例中，上述显示元件包括有机发光二极管（Organic light emitting diode,简称OLED）、电泳显示器（Eletrophoretic Display,简称EPD）、电湿润显示器（Electrowetting Display,简称EWD）或液晶显示器（Liquid Crystal Display,简称LCD）。

在本发明的一实施例中，上述离型层的材料包括片状六方结构的无机材料。

在本发明的一实施例中，上述离型层的材料包括硫化镉微纳米材料、氢氧化镁纳米材料、片状六方结构银、氮化硼、云母或滑石。

在本发明的一实施例中，上述离型层以涂布或是喷洒的方式形成在硬质基板上。

在本发明的一实施例中，上述离型层的材料的玻璃转化温度高于600℃。

在本发明的一实施例中，上述缓冲层包括氧化硅（SiOx）、氮化硅（SiNx）或其组合。

在本发明的一实施例中，上述第一可挠式基板包括一超薄玻璃、一塑胶膜或一不锈钢层。

在本发明的一实施例中，上述硬质基板为一玻璃基板、一陶瓷基板或一硬质塑胶基板。

本发明提供一种可挠式元件，包括一第一可挠式基板、一缓冲层及一电子元件。缓冲层配置在第一可挠式基板上。电子元件配置在缓冲层上。

在本发明的一实施例中，还包括一离型层，位于第一可挠式基板与缓冲层之间，离型层的材料包括片状六方结构的无机材料。

在本发明的一实施例中，上述离型层不均匀地分布于第一可挠式基板与缓冲层之间。

在本发明的一实施例中，上述离型层的材料包括硫化镉微纳米材料、氢氧化镁纳米材料、片状六方结构银、氮化硼、云母或滑石。

在本发明的一实施例中，上述离型层的材料的玻璃转化温度高于600℃。

在本发明的一实施例中，上述缓冲层包括氧化硅（SiOx）、氮化硅（SiNx）或其组合。

在本发明的一实施例中，还包括一显示元件，配置在电子元件上。

在本发明的一实施例中，还包括一第二可挠式基板，配置在显示元件上。