[发明专利]一种光刻返工去胶方法及其半导体形成方法有效
| 申请号： | 201410131620.9 | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104977820B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/311 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 返工 方法 及其 半导体 形成 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻返工去胶方法，其特征在于，包括:
A、提供一需要返工去除光刻胶的半导体，所述半导体上具有钝化保护层，所述钝化层上具有光刻胶层；
B、通过预设温度条件,对所述半导体表面进行干法去除光刻胶，所述预设温度为110摄氏度，以减少所述钝化保护层表面的氧化层的形成；
C、对经过干法去除光刻胶的半导体表面进行酸液清洗，以清洗掉进行干法去除光刻胶时所述钝化保护层表面形成的氧化层，所述钝化保护层为SiN层,所述酸液清洗的时间小于5秒；
D、对经过酸液清洗的半导体表面进行湿法去除剩余光刻胶。
2.根据权利要求1所述的一种光刻返工去胶方法，其特征在于，所述酸液清洗为稀氟化氢清洗。
3.根据权利要求1所述的一种光刻返工去胶方法，其特征在于，所述光刻胶为DUV深紫外光刻胶。
4.根据权利要求1所述的一种光刻返工去胶方法，其特征在于，所述氧化层为二氧化硅层。
5.根据权利要求1所述的一种光刻返工去胶方法，其特征在于，还包括：
E、湿法去除光刻胶的半导体清洗处理，所述清洗处理是水洗浸润或者喷雾清洗或者刷洗或者冲洗或者超声波震荡；
F、对经过步骤D中清洗处理的半导体干燥处理，所述干燥处理是甩干或者吹干或者烘干或者异丙醇表面张力干燥。
6.一种半导体形成方法，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一项所述的光刻返工去胶方法。
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