[发明专利]磁记录介质和磁存储装置有效
| 申请号： | 201410132213.X | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104103290B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张磊;神边哲也;村上雄二;丹羽和也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 刘瑞东,段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 记录 介质 存储 装置 | ||
1.一种磁记录介质，包含：
基板；
在所述基板上形成的多个底层；
在所述多个底层上形成的磁性层；及
密排方向控制底层，其包含从Cr、以Cr为主成分的BCC结构的合金及具有B2结构的合金中所选择的1种以上的金属，
其中，
所述磁性层的主成分是(001)密排方向的具有L10结构的合金；
所述多个底层中的至少1层是含有W的结晶质底层；
所述W是所述结晶质底层的主成分；
所述结晶质底层还包含1mol％以上、20mol％以下的从B、Si及C中所选择的1种以上的元素，及
在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有NaCl结构的材料，
所述结晶质底层形成在所述密排方向控制底层上。
2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：
所述具有NaCl结构的材料包含从MgO、TiO、NiO、TiN、TiC、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC及NbC中所选择的1种以上的化合物。
3.如权利要求1所述的磁记录介质，其中：
所述磁性层包含从SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO、ZnO、B2O3、C、B及BN中所选择的1种以上的物质；及
所述磁性层的主成分是CoPt合金或具有L10结构的FePt合金。
4.一种磁存储装置，包含：
权利要求1至3的任1项所述的磁记录介质。
5.一种磁记录介质，包含：
基板；
在所述基板上形成的多个底层；及
在所述多个底层上形成的磁性层，
其中，
所述磁性层的主成分是(001)密排方向的具有L10结构的合金；
所述多个底层中的至少1层是含有W的结晶质底层；
所述W是所述结晶质底层的主成分；
所述结晶质底层还包含1vol％以上、50vol％以下的氧化物；及
在所述结晶质底层和所述磁性层之间形成了阻挡层，该阻挡层包含具有NaCl结构的材料。
6.如权利要求5所述的磁记录介质，其中：
所述氧化物包含从B2O3、SiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO2、TiO、ZnO、La2O3、NiO、FeO及CoO中所选择的1种以上。
7.如权利要求5所述的磁记录介质，还包含：
密排方向控制底层，包含从Cr、以Cr为主成分的BCC结构的合金及具有B2结构的合金中所选择的1种以上的金属，
其中，
所述结晶质底层形成在所述密排方向控制底层上。
8.如权利要求5所述的磁记录介质，其中：
所述具有NaCl结构的材料包含从MgO、TiO、NiO、TiN、TiC、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC及NbC中所选择的1种以上的化合物。
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