[发明专利]磁记录介质和磁存储装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种磁记录介质和磁存储装置。

背景技术

近年，硬盘驱动器ＨＤＤ的大容量化的需求日益提高。作为满足这种需求的手段，提出了一种采用安装了激光光源的磁头对磁记录介质进行加热以进行记录的热辅助磁记录方式。

采用热辅助磁记录方式，藉由对磁记录介质进行加热，可大幅降低保磁力，所以，可在磁记录介质的磁性层使用磁晶异方性常数Ｋｕ较高的材料。为此，可在对热稳定性进行维持的同时进行磁粒粒径的微细化，并可实现1Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ²级别的面密度。作为高Ｋｕ磁性材料，提出了Ｌ1₀型ＦｅＰｔ合金、Ｌ1₀型ＣｏＰｔ合金、Ｌ1₁型ＣｏＰｔ合金等的有序合金等。

另外，在磁性层中，为了对由上述有序合金组成的结晶粒进行隔离（isolate），添加了作为粒界相材料（grain boundary phase material）的ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂等的氧化物或Ｃ、ＢＮ等。藉由具有在粒界相所分离的磁性结晶粒的粒状结构，可降低磁性粒子间的交换结合，并可实现较高的介质ＳＮ比。

非专利文献1中记载了，通过在ＦｅＰｔ添加38％的ＳｉＯ₂，可将磁粒粒径降低至5ｎｍ。再有，在该文献还记载了，通过将ＳｉＯ₂的添加量再增加至50％，可将粒径降低至2.9ｎｍ。

另外，为了获得具有较高垂直磁气异方性的热辅助磁记录介质，优选为，使磁性层中的Ｌ1_O型有序合金中具有良好的（001）密排方向(orientation)。由于磁性层的密排方向可由底层进行控制，所以，需要使用适当的底层。

关于底层，例如，专利文献1中示出了，通过使用ＭｇＯ底层，Ｌ1_O型ＦｅＰｔ磁性层可具有良好的（001）密排方向。

另外，专利文献2中记载了，通过在Ｃｒ-Ｔｉ-Ｂ合金等的具有ＢＣＣ结构的结晶粒径控制层之上形成作为“结晶密排方向性控制兼低热传导中间层”的ＭｇＯ层，Ｌ1_O型ＦｅＰｔ磁性层可具有更好的（001）密排方向。

专利文献3的实施例2.3中记载了，作为底层可使用Ｗ-5ａｔ％Ｍｏ／Ｃｒ的例子。

另外，作为次世代的记录方式而被注目的其它技术，还具有微波辅助磁记录方式。微波辅助磁记录方式是一种通过向磁记录介质的磁性层照射微波，使磁化方向从磁化容易轴倾斜，并使磁性层的磁化局部反转（翻转），以对磁性信息进行记录的方式。

在微波辅助磁记录方式中也与热辅助磁记录方式同样地，作为磁性层的材料，可使用由具有Ｌ1_O型结晶结构的合金所组成的高Ｋｕ材料。为此，可在对热稳定性进行维持的同时进行磁粒粒径的微细化。

同时，在使用上述热辅助磁记录方式或微波辅助磁记录方式的磁记录介质的磁存储装置中，为了实现较高的介质ＳＮ比，还需要在磁记录介质中进行磁性结晶粒的微细化的同时，也要充分地降低磁性结晶粒间的交换结合。作为实现该目的的方法，如上所述，可向磁性层中添加ＳｉＯ₂或Ｃ等的粒界相材料。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]特开平11-353648号公报

[专利文献2]特开2009-158054号公报

[专利文献3]特开2012-48792号公报

[非专利文献]

[非专利文献1]Ｊ.Ａｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.104，023904（2008）

发明内容

[发明要解决的课题]

然而，在使用为磁存储装置的情况下，如果为了获得足够高的介质ＳＮ比而添加了多量的粒界相材料，则存在着，磁性层中所含的具有Ｌ1₀结构的合金的结晶粒（以下，也称「磁性层结晶粒」）、例如、ＦｅＰｔ合金结晶粒的有序度恶化，Ｋｕ降低的问题。

本发明是鉴于上述现有技术所存在的问题而提出的，其目的在于提供一种磁记录介质，可在不使磁性层中所含的具有Ｌ1₀结构的合金结晶粒的有序度降低的同时，提高在使用为磁存储装置的情况下的介质ＳＮ比。

[用于解决课题的手段]

根据本发明的一方面，提供一种磁记录介质，包含：

基板；

在所述基板上形成的多个底层；及

在所述多个底层上形成的磁性层，

其中，