[发明专利]一种半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成低k介电层；

采用含碳化合物对所述低k介电层表面进行处理，以形成富碳层；

在所述富碳层上沉积氧化物硬掩膜层；

在所述低k介电层中形成铜互连结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积所述氧化物硬掩膜层的源气体为二氧化碳、所述含碳化合物和硅烷。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述含碳化合物选自烷烃、烯烃、炔烃或其组合。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在沉积所述氧化物硬掩膜层的过程中，所述含碳化合物的流量从预定值逐渐线性减小至零。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物硬掩膜层的碳含量从下层部分的最大值逐渐减小至上层部分的零。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述铜互连结构之后进行清洗的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述进行清洗的步骤包括：通过稀释的氢氟酸对所述氧化物硬掩膜层进行清洗，以在所述铜互连结构的沟槽的顶部形成具有上宽下窄的锥形轮廓的开口。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低k介电层和所述半导体衬底之间形成有刻蚀停止层。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述氧化物硬掩膜层上沉积形成金属硬掩膜层的步骤。