[发明专利]图形修正方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种图形修正方法。

背景技术

在半导体制造过程中，光刻技术是一项重要的半导体制造技术，对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将电路图案复制到掩膜版上，然后通过光刻设备将掩膜版上的图案结构复制到硅片上。

随着集成电路特征尺寸（CD，Critical Dimension）缩小，以及受到曝光机台（OET，Optical Exposure Tool）的分辨率极限（Resolution Limit）的影响，在对高密度排列的掩膜版图案进行曝光制程以进行图案转移时，容易产生光学临近效应（OPE，Optical Proximity Effect），例如直角转圆形化（Right-angled Corner Rounded）、直线末端紧缩（Line End Shortened）以及直线线宽增加或缩减（Line Width Increase/Decrease）等，都是常见的光线临近效应导致的掩膜版图案转移缺陷。

为了避免上述问题，需要对电路图案进行光学临近修正（OPC，Optical Proximity Correction），以消除光学临近效应，然后再依据修正过的电路图案形成于掩膜版上。因此，光学临近修正即通过对电路图案进行预先的修改，使得修改量恰好能够补偿光学临近效应造成的缺陷，以经过光学临近修正的电路图案形成在掩膜版后，以该掩膜版上的图案转移到晶圆上，能够使晶圆上所形成的图案达到曝光工艺的要求。

随着集成电路特征尺寸的缩小，用于在集成电路中时半导体器件电连接的金属互连线（Metal Line）以及接触孔（Via）的尺寸也相应缩小，如何保证金属互连线和接触孔的性能尤为重要。

然而，现有的光学临近修正方法虽然能够消除光学临近效应，却无法同时兼顾修正后的图形所形成的接触孔的性能，容易造成以修正后的图形所形成的接触孔性能下降。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种图形修正方法，以修正后的图形所形成的导电结构性能改善。

为解决上述问题，本发明提供一种图形修正方法，包括：提供初始图形，所述初始图形包括若干接触孔图形和若干互连线图形，所述接触孔图形与互连线图形重叠，所述接触孔图形为矩形，所述接触孔图形垂直于互连线图形的边长为第一边长，平行于互连线图形的边长为第二边长；判断所述待修正接触孔图形位于密集区或孤立区；当所述待修正接触孔图形位于孤立区时，对所述待修正接触孔图形进行第一图形变化，使所述待修正接触孔图形的第一边长和第二边长增大；当所述待修正接触孔图形位于密集区时，对所述待修正接触孔图形进行第二图形变化，使所述待修正接触孔图形的第二边长增大，且第一边长小于第二边长。

可选的，还包括：当所述待修正接触孔图形位于密集区时，对所述待修正接触孔图形进行设计规则检测；并根据所述设计规则检测的结果改变所述待修正接触孔图形的第一边长。

可选的，所述设计规则检测包括：测试所述待修正接触孔图形的第一边长、以及所述待修正接触孔图形到相邻互连线图形之间的距离。

可选的，当所述待修正接触孔图形和互连线图形符合设计规则时，测试所述待修正接触孔图形到相邻接触孔图形的距离，获取第二距离；当所述第二距离小于第二预设尺寸时，使所述待修正接触孔图形的第一边长减小；当所述第二距离大于第二预设尺寸时，使所述待修正接触孔图形的第一边长增大。

可选的，当所述第二距离小于或等于第二预设尺寸时，所述第二距离越小，所述待修正接触孔图形的第一边长减小的尺寸越大。

可选的，当所述第二距离大于第二预设尺寸时，所述第二距离越大，所述待修正接触孔图形的第一边长增大的尺寸越大。

可选的，所述第二预设尺寸为500埃～700埃。

可选的，当所述待修正接触孔图形违反设计规则时，使所述待修正接触孔图形的第一边长增大，且所述第一边长增大的尺寸小于第二边长增大的尺寸。

可选的，还包括：测试所述待修正接触孔图形到相邻接触孔图形的距离，获取第二距离；当所述第二距离越大，所述待修正接触孔图形的第一边长增大的尺寸越大。

可选的，确定所述待修正接触孔图形位于密集区还是孤立区的方法包括：测试所述待修正接触孔图形到相邻互连线图形的距离，获取第一距离；当所述第一距离大于第一预设尺寸时，所述待修正接触孔图形位于孤立区；当所述第一距离小于第一预设尺寸时，所述待修正接触孔图形位于密集区。

可选的，所述待修正接触孔图形的两侧分别具有互连线图形。