[发明专利]封装及其制造方法在审
申请号: | 201410133587.3 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN104103609A | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | R·奥特雷姆巴;K·希斯;K·霍塞尼 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/28;H01L21/50 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装,包括:
芯片载体;
芯片,布置在所述芯片载体之上;
包封材料,包封所述芯片并且部分地包封所述芯片载体;
冷却剂接收凹槽,在所述包封材料中被提供在所述芯片之上;
其中,所述冷却剂接收凹槽被配置用于接收冷却剂。
2.根据权利要求1所述的封装,进一步包括:
冷却剂,被接收在所述冷却剂接收凹槽中。
3.根据权利要求2所述的封装,其中,所述冷却剂包括导热胶膏。
4.根据权利要求1所述的封装,其中,所述冷却剂接收凹槽具有在从约0.25mm3至约250mm3的范围内的体积。
5.根据权利要求1所述的封装,其中,所述冷却剂接收凹槽暴露芯片焊盘。
6.根据权利要求1所述的封装,其中,所述冷却剂接收凹槽暴露所述芯片载体的一部分。
7.根据权利要求1所述的封装,其中所述芯片载体包括引线框架,所述引线框架包括裸片焊盘和至少一个引线,其中所述冷却剂接收凹槽暴露所述至少一个引线的一部分。
8.一种封装,包括:
芯片载体;
芯片,布置在所述芯片载体之上;
导电耦合结构,被配置用于将所述芯片电耦合至所述芯片载体;
包封材料,包封所述芯片并且部分地包封所述导电耦合结构和所述芯片载体;
冷却剂接收凹槽,在所述包封材料中布置所述导电耦合结构之上;以及
冷却剂,被接收在所述冷却剂接收凹槽中。
9.根据权利要求8所述的封装,其中,所述冷却剂包括导热胶膏。
10.根据权利要求8所述的封装,其中,所述冷却剂接收凹槽具有在从约0.25mm3至约250mm3的范围内的体积。
11.根据权利要求8所述的封装,其中,所述芯片载体包括引线框架,所述引线框架包括裸片焊盘和至少一个引线,其中所述导电耦合结构被配置用于将所述芯片与所述至少一个引线电耦合。
12.根据权利要求8所述的封装,其中,所述冷却剂接收凹槽暴露芯片焊盘。
13.根据权利要求8所述的封装,其中,所述冷却剂接收凹槽暴露所述芯片载体的一部分。
14.根据权利要求8所述的封装,其中,所述芯片载体包括引线框架,所述引线框架包括裸片焊盘和至少一个引线,其中所述冷却剂接收凹槽暴露所述至少一个引线的一部分。
15.一种制造封装的方法,所述方法包括:
在芯片载体之上布置芯片;并且
采用包封材料包封所述芯片并且部分地包封所述芯片载体;
在所述包封材料中提供冷却剂接收凹槽。
16.根据权利要求15所述的方法,所述方法进一步包括:在所述冷却剂接收凹槽中形成冷却剂。
17.根据权利要求15所述的方法,其中,所述冷却剂包括导热胶膏。
18.根据权利要求15所述的方法,其中,所述冷却剂接收凹槽具有在从约0.25mm3至约250mm3的范围内的体积。
19.根据权利要求15所述的方法,其中,所述冷却剂接收凹槽暴露被配置用于将所述芯片与所述芯片载体电耦合的导电耦合结构。
20.根据权利要求15所述的方法,
其中,所述芯片载体包括引线框架,所述引线框架包括裸片焊盘和至少一个引线;
其中,所述导电耦合结构被配置用于将所述芯片与所述至少一个引线电耦合。
21.根据权利要求15所述的方法,其中,所述冷却剂接收凹槽被形成为暴露芯片焊盘。
22.根据权利要求15所述的方法,其中,所述冷却剂接收凹槽被形成为暴露所述芯片载体的一部分。
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