[发明专利]一种鳍型半导体结构及其成型方法

权利要求书

1.一种鳍型半导体结构，其特征在于，包括：

具有下部衬底和鳍片部的鳍型衬底；

形成在鳍片部上的源区和漏区；

形成在所述源区和漏区之间横跨在鳍片部上的栅极结构，栅极结构下方的鳍片部为沟道；

形成在所述鳍片部两侧的浅沟道隔离；以及

形成在所述鳍片部中的位于所述栅极结构下方、在沟道和下部衬底之间的隔离区；

所述浅沟道隔离的上表面低于所述隔离区的上表面，所述隔离区的两侧具有回切区，所述栅极结构覆盖在所述回切区的表面

所述鳍片部的顶面是圆滑的曲面，所述鳍片部顶面的宽度为1-10纳米。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍片部两端的截面为长方形；或者

所述鳍片部两端的截面为三角形。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述结构还包括位于所述栅极结构的两侧的侧墙。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，半导体结构还包括位于漏区下方的隔离区。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离区与栅极结构的长度相等。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离区的长度小于栅极结构的长度。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在所述鳍片部中存在多个短隔离区。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离区的材料为SiO₂和/或HfO₂。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离区的厚度为5-20nm。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述短隔离区的长度小于鳍片部宽度的4倍。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括形成于鳍片部内的牺牲区，所述隔离区形成在所述牺牲区中，所述牺牲区从鳍片部的两侧露出。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲区是贯穿鳍片部的牺牲层。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲区是一个或多个牺牲块。

14.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲区的厚度为5-50nm。

15.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍片部包括上鳍片部、牺牲区和下鳍片部。

16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述上鳍片部为具有圆角的长方体形或者圆柱形。

17.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述下鳍片部的材料是Si、牺牲区的材料是SiGe、上鳍片部的材料是Si。

18.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述下鳍片部的材料是Si，牺牲区的材料是SiGe，上鳍片部的材料是Ge含量比牺牲区低10％的SiGe。

19.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述牺牲区的材料是Ge含量40％的SiGe，所述上鳍片部的材料是Ge含量30％的SiGe。

20.根据权利要求17所述的半导体结构，其特征在于，所述上鳍片部的材料是Si时，鳍片部的表面具有一SiGe外延层。

21.根据权利要求20所述的半导体结构，其特征在于，在所述SiGe外延层外，还具有一Si外延层。

22.根据权利要求18所述的半导体结构，其特征在于，所述上鳍片部的材料是SiGe时，鳍片部的表面具有Si外延层。

23.根据权利要求21或22所述的半导体结构，其特征在于，所述Si外延层的厚度小于5纳米。

24.根据权利要求23所述的半导体结构，其特征在于，这种结构适合制作PMOS器件。

25.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述回切区相对于鳍片部两侧面缩进的距离小于鳍片部宽度的四分之一。