[发明专利]硅片承载装置在审
申请号: | 201410135844.7 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN103904016A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 操国宏;刘锐鸣;邹冰艳;吴煜东;戴小平 | 申请(专利权)人: | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;刘华联 |
地址: | 412001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 承载 装置 | ||
1.一种硅片承载装置,包括本体,以及沿水平方向等间距形成在所述本体上的多个用于承载硅片的承片槽;
其中,所述承片槽均在水平方向上朝向同一方向倾斜设置,并且所述承片槽的任一侧壁所在的平面和与水平方向垂直的竖直平面之间均形成相同的第一预设夹角。
2.根据权利要求1所述的硅片承载装置,其特征在于,所述第一预设夹角的角度为2~5°。
3.根据权利要求1所述的硅片承载装置,其特征在于,所述承片槽的两侧壁在槽口处均形成有倒角,并且两个所述倒角之间形成第二预设夹角。
4.根据权利要求3所述的硅片承载装置,其特征在于,所述第二预设夹角的角度为50~70°。
5.根据权利要求1到4中任一项所述的硅片承载装置,其特征在于,所述本体沿竖直平面的截面呈弧形延伸。
6.根据权利要求5所述的硅片承载装置,其特征在于,所述本体上沿弧形延伸方向间隔设置有至少两组通气组件,各所述通气组件包括沿水平方向间隔设置的至少两个通孔。
7.根据权利要求6所述的硅片承载装置,其特征在于,多组所述通气组件沿所述本体的弧形延伸方向等间距设置。
8.根据权利要求5或6所述的硅片承载装置,其特征在于,各所述通气组件中的多个所述通孔沿水平方向等间距设置。
9.根据权利要求6到8中任一项所述的硅片承载装置,其特征在于,相邻的两个所述通气组件中的所述通孔在水平方向上错位设置。
10.根据权利要求6到9中任一项所述的硅片承载装置,其特征在于,所述通孔均为腰形孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造