[发明专利]硅片承载装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅片承载装置，尤其涉及一种扩散工艺用的硅片承载装置，属于半导体制造技术领域。

背景技术

在半导体工艺中常利用扩散法渗入微量的杂质，以达到控制半导体性能的目的。在扩散工艺过程中，需要利用硅片承载装置将硅片固定在扩散炉内的某个位置，以保证硅片在恒温下均匀的与杂质源和气体接触，从而达到设定的扩散结果。

目前，常见的硅片承载装置如图1所示，包括本体11和沿水平方向间隔形成在本体11上的多个用于承载硅片的承片槽12，并且承片槽12的开口均为竖直方向，从而使得放置在承片槽12内的硅片沿竖直方向竖立。

但由于开设的承片槽12的槽宽是一定，而在生产过程中很难保证放置的硅片的厚度与承片槽12的槽宽能够匹配，尤其当硅片的厚度小于承片槽12的槽宽时，硅片放置在承片槽12内势必会导致硅片向承片槽12的两侧壁处倾斜，从而对相邻的硅片之间的间距的一致性造成影响，进而对各个硅片之间的杂质扩散的均匀性造成不利的影响。

发明内容

针对上述现有技术中的不足，本发明的目的在于提供一种硅片承载装置，其放置的硅片之间的间距的一致性较高。

本发明提供的一种硅片承载装置，包括本体，以及沿水平方向等间距形成在所述本体上的多个用于承载硅片的承片槽；

其中，所述承片槽均在水平方向上朝向同一方向倾斜设置，并且所述承片槽的任一侧壁所在的平面和与水平方向垂直的竖直平面之间均形成相同的第一预设夹角。

可选的，所述第一预设夹角的角度为2～5°。

可选的，所述承片槽的两侧壁在槽口处均形成有倒角，并且两个所述倒角之间形成第二预设夹角。

可选的，所述第二预设夹角的角度为50～70°。

可选的，所述本体沿竖直平面的截面呈弧形延伸。

可选的，所述本体上沿弧形延伸方向间隔设置有至少两组通气组件，各所述通气组件包括沿水平方向间隔设置的至少两个通孔。

可选的，多组所述通气组件沿所述本体的弧形延伸方向等间距设置。

可选的，各所述通气组件中的多个所述通孔沿水平方向等间距设置。

可选的，相邻的两个所述通气组件中的所述通孔在水平方向上错位设置。

可选的，所述通孔均为腰形孔。

与现有技术相比，本发明提供的硅片承载装置，其在本体上形成有朝向同一方向倾斜的多个承片槽，并且承片槽的侧壁所在平面和水平方向垂直的竖直平面之间形成的相同的第一预设夹角，当把相同厚度的硅片分别放置在多个承片槽内，硅片均朝向同一方向倾斜，并且倾斜的角度均大致相等，从而使得硅片之间的间距的一致性较高，进而提高了各个硅片之间的杂质扩散的均匀性。

同时，硅片在扩散炉内倾斜放置时，有利于硅片中间与沿水平方向的气流的接触，从而进一步提高了硅片的杂质扩散的均匀性。

在进一步的技术方案中，承片槽的两侧壁在槽口处均形成倒角，便于硅片的放置，并且通过设置倒角，可避免硅片与承片槽在槽口处的接触应力集中，从而提高了硅片放置的安全性。

同时，在扩散炉内进行高浓度扩散时，倒角还可有效防止扩散的杂质在槽口处沉积并产生结晶，从而避免硅片在结晶处与承片槽粘接，进而便于取片。

在进一步的技术方案中，通过在本体上设置通气组件，在扩散炉内便于气流流通。

在进一步的技术方案中，相邻的两个通气组件中的通孔在水平方向上错位设置，从而避免本体局部支撑力过低而造成破损，进而在满足气流流通的同时有效地提高了本体的结构强度。

上述技术特征可以各种适合的方式组合或由等效的技术特征来替代，只要能够达到本发明的目的。

附图说明

在下文中将基于仅为非限定性的实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中：

图1为现有技术的硅片承载装置中的承片槽的结构示意图；

图2为本发明实施例一提供的硅片承载装置中的承片槽的结构示意图；

图3为本发明实施例一提供的硅片承载装置承载硅片的结构示意图；

图4为本发明实施例二提供的硅片承载装置的俯视图；

图5为图4中的A-A向剖视图。

附图说明：

11-本体，12-承片槽；

2-本体，21-通气组件，22-通孔；

3-承片槽，31-倒角；

4-硅片。

具体实施方式