[发明专利]半导体元件

说明书

提供一种半导体元件，其包括至少一芯片、切割道、保护环、裂缝中止环以及互连结构。切割道环绕芯片。保护环配置于芯片与切割道之间且具有至少一开口。裂缝中止环配置于切割道与保护环之间，且裂缝中止环与开口相通。互连结构穿过保护环的开口且连接芯片中的内部元件与切割道中的外部元件，其中互连结构是由多个金属层与多个导电插塞交替堆叠而成。

技术领域

本发明是有关于一种集成电路，且特别是有关于一种半导体元件。

背景技术

随着集成电路技术的演进，为了减少芯片（chip）的尺寸，越来越多的测试焊垫（test pad）被移至切割道（scribe line）。然而，一旦测试焊垫被移至切割道，将内部芯片信号连接至外部焊垫的困难度也会提高。

公知的做法是利用最上层的金属层与大块的氧化物层来制作互连结构。然而，在沿着切割道将多个芯片切割的过程中，会产生许多不规则的裂缝或龟裂，而这些裂缝会沿着氧化物层裂开而破坏芯片的内部元件，导致芯片的效能降低。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种半导体元件，其互连结构的组成以金属层及导电插塞为主，而非公知的大块氧化物，因此可避免切割时所产生的龟裂或裂缝破坏芯片的内部元件的问题。

本发明提供一种半导体元件，其包括至少一芯片、切割道、保护环、裂缝中止环以及互连结构。切割道环绕芯片。保护环配置于所述芯片与所述切割道之间且具有至少一开口。裂缝中止环配置于所述切割道与所述保护环之间，且所述裂缝中止环与所述开口相通。互连结构穿过所述保护环的所述开口且连接所述芯片中的内部元件与所述切割道中的外部元件，其中所述互连结构是由多个金属层与多个导电插塞交替堆叠而成。

在本发明的一实施例中，上述互连结构至所述开口的侧壁的距离递增或递减。

在本发明的一实施例中，上述互连结构包括穿过开口的主体部以及至少一延伸部，所述延伸部位于所述开口的一侧且与所述主体部连接。

在本发明的一实施例中，上述主体部至所述开口的侧壁的距离相同。

在本发明的一实施例中，上述主体部的延伸方向与所述延伸部的延伸方向不同。

在本发明的一实施例中，上述主体部的延伸方向与所述延伸部的延伸方向垂直。

在本发明的一实施例中，上述互连结构的形状为直线状、T型、H型或阶梯状。

在本发明的一实施例中，上述互连结构的组成与所述保护环的组成相同。

在本发明的一实施例中，上述内部元件包括内部焊垫。

在本发明的一实施例中，上述外部元件包括外部焊垫或测试焊垫。

基于上述，本发明的互连结构中，于X方向及Y方向上均以金属层及导电插塞取代公知的大块氧化物，因此可有效阻挡切割时所产生的龟裂或裂缝穿透进入芯片中主动区的问题。如此一来，可大幅提高芯片的效能，增加竞争力。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明

图1A是依照本发明的一实施例的一种半导体元件的上视示意图。

图1B和图1C是分别沿图1A的A-A’线和B-B’线的剖面示意图。

图2是依照本发明的另一实施例的一种半导体元件的上视示意图。

图3是依照本发明的又一实施例的一种半导体元件的上视示意图。

图4是依照本发明的再一实施例的一种半导体元件的上视示意图。

其中，附图标记说明如下：