[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及具有电感器的半导体装置。

背景技术

公知有如下半导体装置：作为将电源电压转换为规定的动作电压的电力转换装置具有DC-DC转换器。关于这种半导体装置，一般公知有在框架的主面侧搭载有电感器（线圈）、IC芯片以及电容器的小型薄型的SON型半导体装置（例如参照专利文献1）。

专利文献1：日本特开2007-318954号公报

但是，在这种以往的半导体装置中，由于电感器和IC芯片（以下，简称为IC）为大致相同的大小并进行了层压，因此电感器被设置成相比于框架安装在半空，因此存在电感器中产生的电磁场到达框架的距离，有可能导致漏磁通增加，甚至是辐射噪声增加。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供通过在电感器中产生的电磁场来抑制了辐射噪声的增加的半导体装置。

为了解决上述问题，本发明的半导体装置的特征在于，该半导体装置具有：引线框架；IC元件，其搭载于所述引线框架的主面侧；电感器，其以紧贴的方式搭载于所述引线框架的背面侧；以及树脂体，其对所述引线框架、所述IC元件以及所述电感器进行树脂密封，所述电感器与所述引线框架紧贴，所述电感器是强磁性体的八棱柱状芯或圆柱状芯，在与所述电感器的轴对应的位置配置所述IC元件，所述电感器与所述IC元件电连接，在所述电感器的端子之间配置有流过所述IC元件的主电流的配线。

根据本发明，能够提供电感器与框架之间没有距离并抑制了在电感器中产生的辐射噪声的增加的半导体装置。

附图说明

图1的（a）～（c）是分别说明本发明一个实施方式的半导体装置的内部结构的主视图、侧视图和后视图。

图2的（a）和（b）是说明本发明的本实施方式的外观结构的半导体装置的主视图和侧视图。

图3是示出本实施方式的半导体装置的一个实施方式中、在MIC中设置了开关元件的例子的电路图。

图4是说明本实施方式的半导体装置的内部配线的配置的图。

图5是详细说明流过本实施方式的半导体装置的内部的电流路径的图。

图6是对本实施方式的半导体装置与有关现有技术方式的半导体装置的辐射噪声数据进行了比较的测定数据。

标号说明

10：半导体装置；12：电感器；12i：内周侧；12m：主体；14：树脂体；18：MIC（IC元件）；20：基板；22a～22c：电容器；P：轴（中心轴）；RM：引线框架。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图1的（a）～（c）是分别说明本发明一个实施方式（以下，称为本实施方式）的半导体装置的内部结构的主视图、侧视图和后视图。图2的（a）和（b）是说明本实施方式的外观结构的半导体装置的主视图和侧视图。

本实施方式的半导体装置10是SIP型树脂密封半导体装置，是电感器内置型模块（电感器内置型调节器）。

半导体装置10由引线框架RM、作为电子部件而搭载于引线框架RM的主面侧MF（表面侧）的电路元件D、搭载于引线框架RM的背面侧BF的电感器（线圈）12以及对电路元件D和电感器12进行树脂密封的树脂体14构成。另外，还可以具有散热板15，该散热板15螺钉紧固在背面侧BF的树脂体14的外壁上，使在装置内部产生的热向装置外方散热。

引线框架RM为铜或铜合金等金属制。在本实施方式中，引线框架RM主要由被分割而彼此不连续的三个分割框架16p～16r构成。即，分割框架彼此电绝缘。

如图1的（a）所示，从正面侧观察半导体装置10时，分割框架16p、16q配置在左右位置，分割框架16r配置在中央位置。

另外，在本实施方式中，作为电路元件D，搭载有MIC（单片集成电路）18、基板（有机基板）20p、芯片电容器22a～22c。在本实施方式中，引线框架RM的电导率比MIC18的电导率大。

MIC18搭载于分割框架16r上。芯片电容器22a横跨安装在分割框架16p、16r上，芯片电容器22b横跨安装在分割框架16q、16r上。

基板20p配置在分割框架16p上。并且，芯片电容器22c安装在基板20p上。