[发明专利]具有气隙的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个第一导电结构，其形成在衬底之上；

第二导电结构，每个形成在相邻的第一导电结构之间；

气隙，每个形成在所述第二导电结构与所述第二导电结构的相邻的第一导电结构之间；

第三导电结构，每个接触并覆盖所述气隙的上部的一部分；以及

覆盖结构，每个覆盖所述气隙的上部的其它部分。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

隔离结构，其形成在所述第一导电结构之间，包括一个或更多个开口，其中，所述第二导电结构在所述衬底之上形成在所述开口内。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述覆盖结构包括电介质材料。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三导电结构和所述覆盖结构覆盖所述第二导电结构，同时覆盖所述气隙。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

一个或更多个凹陷，每个自对准至所述第三导电结构的边缘，并且是通过使所述第二导电结构的一部分凹陷来形成的，其中，所述覆盖结构间隙填充所述凹陷。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电结构和所述第三导电结构为插塞。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电结构为插塞，在其中层叠有硅插塞、欧姆接触层和金属插塞，所述气隙形成在所述金属插塞的侧壁上。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一导电结构是包括位线的位线结构。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述硅插塞被凹陷为具有低于所述位线的底表面的表面。

10.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述硅插塞的体积小于所述金属插塞的体积。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述欧姆接触层包括金属硅化物。

12.如权利要求8所述的半导体器件，还包括：

电容器，其包括形成在所述第三导电结构之上的存储节点。

13.如权利要求8所述的半导体器件，还包括：

掩埋栅型晶体管，其具有掩埋在所述衬底中的栅电极，

其中，所述第二导电结构与所述掩埋栅型晶体管耦合。

14.一种半导体器件，包括：

隔离结构，其形成在衬底之上并包括一个或更多个开口；

第一导电结构，每个在所述衬底上形成在所述开口中；

气隙，每个形成在所述第一导电结构的侧壁与所述开口的侧壁之间；

第二导电结构，每个接触并覆盖所述气隙的上部的一部分；以及

覆盖结构，每个覆盖所述气隙的上部的其它部分。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中，所述覆盖结构包括电介质材料。

16.如权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第二导电结构和所述覆盖结构覆盖所述第一导电结构，同时覆盖所述气隙。

17.如权利要求14所述的半导体器件，还包括：

凹陷，每个自对准至所述第二导电结构的边缘，并且是通过使所述第一导电结构的一部分凹陷来形成的，

其中，所述覆盖结构间隙填充所述凹陷。

18.如权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一导电结构和所述第二导电结构为插塞。

19.如权利要求14所述的半导体器件，其中，所述第一导电结构为插塞，在其中层叠有含硅层、欧姆接触层和含金属层，并且

所述气隙形成在所述含金属层的侧壁与所述开口的侧壁之间。