[发明专利]具有气隙的半导体器件及其制造方法

说明书

一种半导体器件包括：多个第一导电结构，其形成在衬底之上；第二导电结构，每个形成在第一导电结构中的相邻的第一导电结构之间；气隙，每个形成在第二导电结构与第二导电结构的相邻的第一导电结构之间；第三导电结构，每个覆盖气隙的一部分；以及覆盖结构，每个覆盖气隙的其它部分。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年7月31日提交的韩国专利申请第10-2013-0091075号的优先权，其全文通过引用并入本文中。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及半导体器件，更具体地，涉及包括气隙的半导体器件和用于制造半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件通常包括插入相邻的导电结构之间的电介质材料。随着半导体器件高度集成，导电结构之间的距离变窄，从而增加了寄生电容。寄生电容的增加使半导体器件的性能劣化。

在用于减小寄生电容的方法中有减小电介质材料的介电常数的方法。然而，由于电介质材料具有高介电常数，因此在减小寄生电容上有所限制。

发明内容

本发明的示例性实施例针对半导体器件以及用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件可在相邻的导电结构之间具有减小的寄生电容。

根据本发明的一个实施例，一种半导体器件包括：多个第一导电结构，其形成在衬底之上；一个或更多个第二导电结构，每个形成在第一导电结构中的相邻的第一导电结构之间；一个或更多个气隙，每个形成在第二导电结构与第二导电结构的相邻的第一导电结构之间；一个或更多个第三导电结构，每个覆盖气隙的一部分；以及一个或更多个覆盖结构，每个覆盖气隙的其它部分。

根据本发明的另一实施例，一种半导体器件包括：隔离结构，其形成在衬底之上并包括一个或更多个开口；一个或更多个第一导电结构，每个在衬底上形成在所述开口中；一个或更多个气隙，每个形成在第一导电结构的侧壁与开口的侧壁之间；一个或更多个第二导电结构，每个覆盖气隙的一部分；以及一个或更多个覆盖结构，每个覆盖气隙的其它部分。

根据本发明的进一步的实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成绝缘层；通过刻蚀绝缘层来形成开口；形成初步第一导电结构，所述初步第一导电结构包括形成在开口内的第一导电结构和形成在第一导电结构的侧壁与开口的侧壁之间的牺牲间隔件；形成第二导电结构，所述第二导电结构覆盖第一导电结构的一部分以及牺牲间隔件的一部分；通过去除牺牲间隔件来形成气隙；以及形成覆盖结构，所述覆盖结构用于覆盖气隙的一部分。

根据本发明的又再进一步的实施例，一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成多个第一导电结构；在第一导电结构之间形成绝缘层；通过刻蚀绝缘层来形成一个或更多个开口；在相应的开口中形成一个或更多个初步第二导电结构，其中，初步第二导电结构包括形成在开口内的第二导电结构和形成在第二导电结构的侧壁与开口的侧壁之间的牺牲间隔件；在相应的初步第二导电结构之上形成一个或更多个第三导电结构，其中，第三导电结构覆盖第二导电结构的一部分和牺牲间隔件的一部分；通过去除相应的牺牲间隔件来形成一个或更多个气隙；以及形成一个或更多个覆盖结构，所述一个或更多个覆盖结构用于覆盖相应的气隙。根据本发明的实施例，可通过在导电结构之间形成气隙来减小寄生电容。

根据本发明的实施例，由于以导电结构和覆盖结构覆盖气隙，因此可在后续的工艺中稳定地保护气隙。

根据本发明的实施例，由于欧姆接触层形成在宽的区域中，因此可减小接触电阻。

根据本发明的实施例，可通过增加导电结构中所包括的含金属材料的体积来减小导电结构的电阻。

附图说明

图1A是示出根据本发明的第一实施例的半导体器件的截面图；

图1B是示出根据本发明的第一实施例的修改例的半导体器件的截面图；