[发明专利]硅通孔形成方法有效
| 申请号： | 201410136509.9 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104979274B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 金滕滕;倪梁;汪新学;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 形成 方法 | ||
1.一种硅通孔形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面上具有绝缘层；
沿所述半导体衬底的第二表面蚀刻所述半导体衬底，直至在所述半导体衬底内形成开口；
在所述开口的侧壁形成保护层，且所述保护层暴露出开口底部；
以所述保护层为掩模，采用各向异性湿法刻蚀工艺沿所述开口蚀刻所述半导体衬底至暴露所述绝缘层表面，形成通孔。
2.如权利要求1所述的硅通孔形成方法，其特征在于，所述各向异性湿法刻蚀工艺采用的溶液包括四甲基氢氧化铵溶液。
3.如权利要求2所述的硅通孔形成方法，其特征在于，所述各向异性湿法刻蚀工艺采用的溶液中添加有表面活性剂。
4.如权利要求3所述的硅通孔形成方法，其特征在于，所述四甲基氢氧化铵溶液中溶质的重量百分比为1％～25％。
5.如权利要求4所述的硅通孔形成方法，其特征在于，所述各向异性湿法刻蚀工艺采用的温度为60℃～90℃。
6.如权利要求1所述的硅通孔形成方法，其特征在于，在所述各向异性湿法刻蚀工艺前，位于所述开口底部的半导体衬底厚度为3μm～5μm。
7.如权利要求1所述的硅通孔形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的至少其中之一。
8.如权利要求1所述的硅通孔形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为所述保护层的材料为氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的至少其中之一。
9.如权利要求1所述的硅通孔形成方法，其特征在于，形成所述保护层的过程包括：
在所述开口的底部和侧壁形成保护材料层；
采用各向异性干法刻蚀工艺蚀刻去除位于所述开口底部的保护材料层。
10.如权利要求9所述的硅通孔形成方法，其特征在于，所述各向异性干法刻蚀工艺采用的偏置功率为500W～2400W。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
