[发明专利]NOR闪存的制造方法在审
| 申请号： | 201410137219.6 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103904036A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周俊;黄建冬;洪齐元 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nor 闪存 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种NOR闪存的制造方法，包括：
提供前端结构，所述前端结构包括浅沟槽隔离和图形化的浮栅；
利用干法刻蚀工艺对所述浅沟槽隔离进行回刻，去除位于浮栅之间的部分；
形成ONO层及控制栅。
2.如权利要求1所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，所述干法刻蚀包括利用CH2F2进行刻蚀。
3.如权利要求2所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，所述前端结构还包括衬底，所述浅沟槽隔离部分位于衬底中，所述浮栅位于衬底上相邻浅沟槽隔离之间。
4.如权利要求3所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，所述图形化的浮栅形成过程包括：
在所述衬底上的浅沟槽隔离之间沉积浮栅多晶硅，所述浮栅多晶硅高于所述浅沟槽隔离；
利用平坦化工艺去除所述浮栅多晶硅位于浅沟槽隔离之上的部分。
5.如权利要求4所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，所述平坦化工艺为采用化学机械研磨工艺。
6.如权利要求3所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，所述浮栅与衬底之间还包括一隧道氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
