[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上定义有源区，所述有源区用于制作SRAM器件，所述SRAM器件包括下拉晶体管和传输门晶体管，所述下拉晶体管和所述传输门晶体管为NMOS器件；

步骤S102：在所述半导体衬底上形成扩散阻挡层；

步骤S103：对所述扩散阻挡层进行刻蚀，保留所述扩散阻挡层位于传输门晶体管的沟道宽度方向的部分，去除所述扩散阻挡层位于其他区域的部分；

步骤S104：进行扩散地形工程处理，以提高下拉晶体管的性能并降低传输门晶体管的性能。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述SRAM器件还包括上拉晶体管，所述上拉晶体管为PMOS器件，在所述步骤S103中，还保留所述扩散阻挡层位于上拉晶体管的沟道长度方向的部分。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述扩散阻挡层为压应力薄膜；并且，在所述步骤S104中，在进行扩散地形工程处理的同时，所述扩散阻挡层被保留的部分的压应力被转移到传输门晶体管的沟道宽度方向。

4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述扩散阻挡层为压应力薄膜；并且，在所述步骤S104中，在进行扩散地形工程处理的同时，所述扩散阻挡层被保留的部分的压应力被转移到传输门晶体管的沟道宽度方向以及上拉晶体管的沟道长度方向。

5.如权利要求3或4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述压应力薄膜的材料为压应力氮化硅。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，所述扩散地形工程处理在含氢气的退火条件下进行。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，所述扩散地形工程处理的持续时间为5-120秒。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105：

去除所述扩散阻挡层被保留的部分。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105中，去除所述扩散阻挡层被保留的部分所采用的方法为湿法剥离。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105之后还包括步骤S106：在所述有源区形成上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管。