[发明专利]硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将预处理过的基体材料置于热丝CVD设备中，采用了硼氮共掺杂沉积工艺，在0.5kPa～1.5kPa的反应气压以及850～1000℃的基体温度下沉积，即可获得所述硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜。

2.根据权利要求1所述的硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述的硼氮共掺杂沉积工艺为在所述热丝CVD设备的反应室内通入氢气以及碳源气体作为反应气体，所述的碳源气体掺杂有B及N原子，其中掺杂比例为：硼碳原子个数比为0.03％～0.08％；氮与碳的原子个数比为0.05％～0.15％。

3.根据权利要求2所述的硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳源为丙酮、或者丙酮与甲醇的混合物。

4.根据权利要求2所述的硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述B原子由硼化合物获得，所述N原子由氮化合物获得。

5.根据权利要求4所述的硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述硼化合物为硼酸三甲酯。

6.根据权利要求4所述的硼氮共掺纳米基定向金刚石薄膜的制备方法，其特征在于，所述氮化合物为尿素。